英特爾在2010年VLSI技術(shù)研討會(huì)上發(fā)布創(chuàng)新成果

　　日前，在美國(guó)夏威夷舉行的2010年超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)(2010 Symposia on VLSI Technology and Circuits)上，英特爾發(fā)布了多篇重要技術(shù)研究論文，展示了英特爾在計(jì)算創(chuàng)新領(lǐng)域的不懈追求。

　　1. 可讀懂人腦電波的48內(nèi)核單芯片云計(jì)算機(jī)

　　想象一下，未來筆記本電腦的視覺功能可媲美人的眼睛，準(zhǔn)確地看到物體的運(yùn)動(dòng)!你可以在網(wǎng)上購(gòu)物時(shí)使用筆記本電腦的3D照相機(jī)和顯示器，并可看到一個(gè)自己的“鏡像”——也就是模擬你試穿某件心儀的衣服時(shí)，能看到你走動(dòng)、轉(zhuǎn)身時(shí)的效果，判斷服裝顏色如何搭配你的膚色。

　　英特爾研究院的研究人員展示的這一實(shí)驗(yàn)型48內(nèi)核英特爾處理器，可以比這個(gè)效果做得更好。一些研究人員相信，用這一處理器制造的未來計(jì)算機(jī)，甚至能夠讀懂腦電波——只用簡(jiǎn)單的一個(gè)命令即可實(shí)現(xiàn)!

　　48內(nèi)核處理器的長(zhǎng)期目標(biāo)，是加強(qiáng)單芯片計(jì)算機(jī)的云功能，以激發(fā)全新的軟件應(yīng)用和人機(jī)界面創(chuàng)新。

　　2. 基于32納米制程，將射頻和片上系統(tǒng)整合

　　英特爾是世界上唯一出貨32納米(1納米相當(dāng)于1米的十億分之一)制程產(chǎn)品的半導(dǎo)體廠商，也是唯一一家采用高-k/金屬柵極技術(shù)的公司。這種技術(shù)提供了更卓越的處理器性能和能效。

　　現(xiàn)在，英特爾的工程師們已經(jīng)開發(fā)出一種新版本的芯片制造工藝技術(shù)——首次將射頻功能和系統(tǒng)芯片(SoC)整合，可滿足移動(dòng)通信設(shè)備對(duì)低功耗芯片的需求。

　　新增加的功能系列包括：高頻性能的三晶體管架構(gòu)、很低的漏電功耗、優(yōu)秀的噪聲性能和高擊穿功率放大器晶體管。最后一項(xiàng)對(duì)于CMOS功率放大器集成Wi-Fi、WiMAX、Cellular、GPS等射頻應(yīng)用來說是必需的。新工藝也通過DNW層和高電阻底層提供了噪聲隔離，還包括高質(zhì)量電感、電阻和變?nèi)荻O管。

　　據(jù)稱，這是英特爾32納米制程技術(shù)的第三代：第一代面向處理器，第二代面向系統(tǒng)芯片，第三代則提供射頻和系統(tǒng)芯片的集成。

　　3. 研發(fā)22納米更大容量存儲(chǔ)器

　　現(xiàn)在的CPU通常包含大容量片上高速緩存存儲(chǔ)器，以加快代碼和數(shù)據(jù)的存取，從而提高整體性能和降低功耗。英特爾的工程師們正在尋找途徑，使這些存儲(chǔ)更加密集，一方面增加其容量并提高性能，另一方面縮小其尺寸以降低生產(chǎn)成本。

　　英特爾的方案是用浮體單元(floating body cell，F(xiàn)BC)來替代當(dāng)前使用的6晶體管SRAM單元。英特爾在2010年超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)展示了其研發(fā)進(jìn)展，在一篇論文中介紹了22納米的FBC存儲(chǔ)器，適用于大批量Bulk晶圓生產(chǎn)，早期試驗(yàn)表明，它比絕緣硅(SOI)晶圓在成本上便宜很多;另外一篇論文介紹了如何在一個(gè)FBC存儲(chǔ)器的背柵(back gate)中選擇性地?fù)饺腚s質(zhì)，而不污染設(shè)備的其它部分，這對(duì)于一個(gè)22納米的微小元件來說是一個(gè)“高難動(dòng)作”。