力晶聚焦NAND Flash 挑戰(zhàn)20納米
近期臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助,聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶,加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng),3方人馬點(diǎn)燃臺(tái)灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示,力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺(tái)幣70億元,是臺(tái)灣血統(tǒng)最純正技術(shù),目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個(gè)世代,但若未來成功走向20納米制程,對(duì)臺(tái)灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/110693.htm事實(shí)上,力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renesas),瑞薩原由日立(Hitachi)分割出來,最早日立和東芝(Toshiba)在競爭NAND Flash技術(shù)時(shí),日立選擇AG-AND Flash架構(gòu)開發(fā),但到90納米制程后,瑞薩決定放棄NAND Flash產(chǎn)品線,當(dāng)時(shí)力晶選擇接手技術(shù)和專利,從75納米切入一路開發(fā)至今。
力晶投入NAND Flash產(chǎn)品研發(fā)已達(dá)6年,投入研發(fā)資金高達(dá)70億元,過去都將資源放在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM,2010年起因應(yīng)多元化產(chǎn)品策略,開始將重心放在NAND Flash產(chǎn)品上。黃崇仁表示,力晶承襲瑞薩NAND Flash技術(shù),是最正統(tǒng)NAND Flash技術(shù)架構(gòu),與國際大廠三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等技術(shù)層次最為接近,目前NAND Flash產(chǎn)品已在出貨中,2010年下半將轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程,高容量16Gb產(chǎn)品將問世。
黃崇仁指出,目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍是晚1個(gè)世代,但若未來成功走向20納米制程,對(duì)臺(tái)灣NAND Flash技術(shù)研發(fā)是很大突破,因?yàn)楝F(xiàn)在很多大廠20納米都還未確定可行,未來力晶NAND Flash會(huì)朝利基型市場(chǎng)發(fā)展,不會(huì)與國際大廠既有市場(chǎng)硬碰硬。
另外,TIMC日前亦藉由NAND Flash產(chǎn)品重起爐灶,獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助,將與茂德、晶豪合攻NAND Flash市場(chǎng),技術(shù)是引進(jìn)美商IC設(shè)計(jì)公司NanoStar技術(shù),號(hào)稱可避開現(xiàn)有NAND Flash大廠專利,為臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)建立自有技術(shù),目前已在茂德中科12寸晶圓廠進(jìn)行試產(chǎn)。
至于旺宏對(duì)于從NOR Flash跨入NAND Flash產(chǎn)業(yè)亦相當(dāng)積極,采用自行研發(fā)技術(shù),預(yù)計(jì)2010年便可從75納米制程切入試水溫,第2階段將導(dǎo)入57納米制程,預(yù)估2010年下半NAND Flash產(chǎn)品線開始貢獻(xiàn)營收。
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