力晶聚焦NAND Flash　挑戰(zhàn)20納米

　　近期臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng)，3方人馬點(diǎn)燃臺(tái)灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺(tái)幣70億元，是臺(tái)灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個(gè)世代，但若未來成功走向20納米制程，對(duì)臺(tái)灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。

　　事實(shí)上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renesas)，瑞薩原由日立(Hitachi)分割出來，最早日立和東芝(Toshiba)在競爭NAND Flash技術(shù)時(shí)，日立選擇AG-AND Flash架構(gòu)開發(fā)，但到90納米制程后，瑞薩決定放棄NAND Flash產(chǎn)品線，當(dāng)時(shí)力晶選擇接手技術(shù)和專利，從75納米切入一路開發(fā)至今。

　　力晶投入NAND Flash產(chǎn)品研發(fā)已達(dá)6年，投入研發(fā)資金高達(dá)70億元，過去都將資源放在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，2010年起因應(yīng)多元化產(chǎn)品策略，開始將重心放在NAND Flash產(chǎn)品上。黃崇仁表示，力晶承襲瑞薩NAND Flash技術(shù)，是最正統(tǒng)NAND Flash技術(shù)架構(gòu)，與國際大廠三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等技術(shù)層次最為接近，目前NAND Flash產(chǎn)品已在出貨中，2010年下半將轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程，高容量16Gb產(chǎn)品將問世。

　　黃崇仁指出，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍是晚1個(gè)世代，但若未來成功走向20納米制程，對(duì)臺(tái)灣NAND Flash技術(shù)研發(fā)是很大突破，因?yàn)楝F(xiàn)在很多大廠20納米都還未確定可行，未來力晶NAND Flash會(huì)朝利基型市場(chǎng)發(fā)展，不會(huì)與國際大廠既有市場(chǎng)硬碰硬。

　　另外，TIMC日前亦藉由NAND Flash產(chǎn)品重起爐灶，獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助，將與茂德、晶豪合攻NAND Flash市場(chǎng)，技術(shù)是引進(jìn)美商IC設(shè)計(jì)公司NanoStar技術(shù)，號(hào)稱可避開現(xiàn)有NAND Flash大廠專利，為臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)建立自有技術(shù)，目前已在茂德中科12寸晶圓廠進(jìn)行試產(chǎn)。

　　至于旺宏對(duì)于從NOR Flash跨入NAND Flash產(chǎn)業(yè)亦相當(dāng)積極，采用自行研發(fā)技術(shù)，預(yù)計(jì)2010年便可從75納米制程切入試水溫，第2階段將導(dǎo)入57納米制程，預(yù)估2010年下半NAND Flash產(chǎn)品線開始貢獻(xiàn)營收。