舉債擴產(chǎn) 非臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存之道

　　過去臺灣在DRAM產(chǎn)業(yè)上的主要技術合作來源包括日本、美國、南韓和德國，這幾大陣營各自在制程技術上有很大差別，最大差別在于德系業(yè)者采用溝槽式(Trench)制程技術，在這一波金融風暴洗禮之下，成為被淘汰的陣營。

　　當年各廠面臨溝槽式和堆棧式(Stack)技術的十字路口時，日系東芝(Toshiba)、德系西門子(Siemens)和美系IBM都決定選擇發(fā)展溝槽式技術，其它像是恩益禧(NEC)、三菱(Mitsubishi)、日立(Hitachi)、三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)則是押寶堆棧式技術。

　　溝槽式技術瓶頸浮現(xiàn)　僅西門子繼續(xù)發(fā)展

　　隨著半導體技術制程微縮進度到了90納米以下，東芝和IBM漸漸面臨技術瓶頸，因此這兩家公司率先決定退出DRAM產(chǎn)業(yè)，唯一選擇繼續(xù)做下去的是西門子，之后西門子將半導體部門獨立為英飛凌(Infineon)，最后是將內(nèi)存事業(yè)群獨立成為奇夢達(Qimonda)，當時奇夢達也感受到溝槽式制程的瓶頸壓力，但還是繼續(xù)往下微縮。

　　DRAM技術在90納米制程以下，最關鍵的分界點就是溝槽式和堆棧式的機器設備，必須采用不同的設計方式。奇夢達知道設備商支持開發(fā)技術的重要性，因此就要求美商應用材料(Applied Materials)等關鍵設備商，一定要持續(xù)開發(fā)溝槽式機器設備，以免設備端的資源全倒向堆棧式技術制程。

　　同時，奇夢達也積極拉攏臺系DRAM廠，包括臺塑集團旗下的南亞科、華亞科和華邦等加入奇夢達技術，讓溝槽式技術的規(guī)模在全球有足夠的產(chǎn)能，以能說服設備廠商繼續(xù)生產(chǎn)。

　　半導體技術愈尖端　設備商支持與否成關鍵

　　在半導體領域中，當制程技術越走越尖端時，材料設備就會有很大的不同，一旦更換技術陣營，機器設備幾乎都要重新更換，如果DRAM業(yè)者制程技術都是延續(xù)同一個陣營，在機器設備的沿用性上也較有優(yōu)勢。

　　像現(xiàn)在爾必達(Elpida)和力晶、瑞晶等，從68納米、65納米到63納米制程到下一世代的45納米，都是維持同一技術基礎，機器設備也都可以沿用下去。

　　再者，爾必達過去在50納米研發(fā)上，曾經(jīng)導入銅制程，但在新一代45納米制程上，爾必達選擇放棄銅制程，持續(xù)使用鋁制程，這大概是全世界唯一在40納米世代還能持續(xù)用鋁制程的DRAM廠，爾必達甚至還想把銅制程繼續(xù)沿用到38納米制程，這對于成本結構的降低有很大的幫助。

　　整體來看，如果導入50納米制程的業(yè)者，必須增加銅制程和浸潤式微米曝光機臺的投資，成本將增加30~35%，但50納米相較63納米增加的顆粒數(shù)卻不到30%。

　　此外，像是在63納米制程世代上，良率最高可以拉升至80~90%，但到了50納米制程，即使是三星的良率要做到成本交叉點(Cross Over)，頂多也只能拉到80%的良率，顯見半導體產(chǎn)業(yè)制程技術越往下微縮，良率越來越難提升，投資與報酬率不如以往這么高。

　　簡而言之，半導體業(yè)產(chǎn)業(yè)每一個世代制程越往下走，其投資金額卻是越來越高，但產(chǎn)生的效應卻是越來越有限，這是物理上的限制，也是半導體產(chǎn)業(yè)的一大挑戰(zhàn)，尤其是在30納米制程以下，此物理效應會更為明顯。

　　DRAM產(chǎn)業(yè)由盛到衰　2009年大衰退史無前例

　　回顧1999年以前，全球DRAM產(chǎn)業(yè)百花齊放，共計有14家DRAM廠，包括三星、美光(Micron)、IBM、現(xiàn)代、西門子、NEC、日立、三菱、東芝、力晶、茂德、南亞科、華邦、世界先進等，之后全球DRAM產(chǎn)業(yè)共經(jīng)歷4次大整合，第1次是2001~2002年之間，IBM、東芝退出市場，南韓的現(xiàn)代獨立半導體事業(yè)部門成立海力士，日系陣營的NEC、日立、三菱也整合成爾必達等。

　　到了2003~2004年，全球DRAM產(chǎn)業(yè)更只剩下5大陣營，包括三星和海力士;茂德和爾必達;力晶和奇夢達;南亞科、華亞科和華邦;最后則是美光;然到了2007年后的這一波整合潮，全球5大陣營出現(xiàn)變化，南亞科和華亞科選擇和美光結盟，與奇夢達同一陣營的只剩下華邦，這時只有三星仍單打獨斗。