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英特爾高管:未來(lái)凌動(dòng)芯片能耗將低于ARM

作者: 時(shí)間:2010-08-26 來(lái)源:搜狐IT 收藏

  首席技術(shù)官賈斯汀當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二表示,該公司新一代芯片的能耗將與ARM架構(gòu)芯片相當(dāng),未來(lái)產(chǎn)品的能耗將低于后者。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/112082.htm

  賈斯汀在接受采訪時(shí)說(shuō),Moorestown芯片待機(jī)狀態(tài)下能耗將與ARM架構(gòu)芯片相當(dāng),Medfield芯片運(yùn)行狀態(tài)下能耗將于ARM架構(gòu)芯片相當(dāng)。

  賈斯汀表示:“我預(yù)計(jì)此后我們芯片的能耗將低于ARM架構(gòu)芯片,因?yàn)槲覀冇懈镜男阅軆?yōu)勢(shì)。”

  分析師之前曾表示,對(duì)于便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品和手機(jī)而言,平臺(tái)的能耗過(guò)高。電池續(xù)航時(shí)間是手機(jī)產(chǎn)業(yè)最重要的指標(biāo)之一。



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