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細(xì)分半導(dǎo)體設(shè)備市場

作者: 時間:2010-09-16 來源:SST 收藏

  Muse著重提出有一件事, 由SICAS報(bào)告的數(shù)據(jù), 從此次市場需求的小循環(huán)看,2010年上半年的產(chǎn)能僅很小量的增加,0,3%,而2009年的產(chǎn)能下降達(dá)11%,反映目前的產(chǎn)能遠(yuǎn)未回復(fù)到09年之前的水平。另外,SICAS還提出, 先進(jìn)制程(<60nm) 的產(chǎn)能僅增加近500kwspm(每月50萬片), 所以沒有富余的產(chǎn)能, 尤其是尺寸縮小變得越來越困難(即浸入式光刻設(shè)備交貨延遲), 這表示此次投資的增大將延續(xù)到2012年。Muse認(rèn)為推動此波關(guān)鍵增長是NAND, 而DRAM的市場需求隨著價格下降, 及智能手機(jī)和iPad的需求增長會出現(xiàn)起伏, 但是能推動代工業(yè)務(wù)增長。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/112700.htm

  總體上,Muse對于2011年看到4個趨勢;

  代工的設(shè)備訂單上升, 這是源自全球代工再次燃起競爭, 如GlobalFoundries及Samsung欲與臺積電爭高低。

  NAND市場需求上升, 有3-4個大型NAND閃存項(xiàng)目上馬, 將推動投資升高。

  韓國投資上升, 韓國繼續(xù)盈利, 所以它們繼續(xù)投資DRAM, 更多的在技術(shù)升級,而不是產(chǎn)能增加。

  臺灣地區(qū)有足夠多的資金。在Formosa Plastics的邦助下,南亞/Inotera繼續(xù)投資。

  2011年投資下降的若干方面;

  邏輯電路, 2011與2010年相比下降5%。原因是一方面在英特爾領(lǐng)導(dǎo)下的反周期投資及22nm推動上升, 但是其它邏輯電路廠可能持平或下降。

  其中英特爾的光刻設(shè)備是關(guān)鍵, 因?yàn)橛⑻貭枙倪^去依Nikon訂單為主轉(zhuǎn)變?yōu)锳SML為主。另外方面看iPad能削弱多少Netbook(上網(wǎng)本)的訂單, 由此影響到英特爾的業(yè)績。(iPad使用三星代工的處理器)



關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 存儲器

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