TSMC先進(jìn)薄膜太陽能技術(shù)研發(fā)中心暨先期量產(chǎn)廠房于中國臺灣中部動土興建

　　TSMC今(16)日假中國臺中科學(xué)工業(yè)園區(qū)舉行第一座先進(jìn)薄膜太陽能技術(shù)研發(fā)中心暨先期量產(chǎn)廠房動土典禮，為TSMC進(jìn)軍薄膜太陽能市場奠定厚實基礎(chǔ)。

　　TSMC董事長兼總執(zhí)行官張忠謀在典禮中表示，新事業(yè)團(tuán)隊自去年成立以來已寫下許多重要里程碑。其中LED照明技術(shù)研發(fā)中心暨量產(chǎn)廠房已落腳于臺灣新竹，第一座太陽能廠房也準(zhǔn)備在臺中動土興建。LED照明和太陽能這二項綠能新事業(yè)不僅能更增強TSMC長期營收與獲利的持續(xù)成長，并將制造對地球友善的綠色能源產(chǎn)品，彰顯TSMC企業(yè)公民的社會責(zé)任。此外，這座太陽能廠房與七月剛動土的晶圓十五廠未來將比鄰而建，代表臺中科學(xué)園區(qū)將成為TSMC最先進(jìn)及創(chuàng)新的生產(chǎn)基地之一。

　　TSMC新事業(yè)總經(jīng)理蔡力行同時指出，TSMC一向在技術(shù)領(lǐng)域追求卓越，太陽能事業(yè)的發(fā)展也不例外。我們將在此一太陽能廠房全力進(jìn)行太陽能技術(shù)的研發(fā)，提供先進(jìn)的薄膜解決方案與制造;此外，未來將充分結(jié)合及發(fā)揮TSMC優(yōu)異的制造能力，成為薄膜太陽能的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者。

　　這座薄膜太陽能技術(shù)研發(fā)中心暨先期量產(chǎn)廠房將分成兩階段興建，第一期的投資金額為美金2億5800萬元(約新臺幣79億2,000萬元)，預(yù)計2011年第二季即可完工裝機，并于2012年達(dá)到先期年產(chǎn)量200百萬瓦(MW);至于第二期產(chǎn)量則將超過700百萬瓦(MW)。此外，這座太陽能新建廠房也將持續(xù)發(fā)展今年六月由美商Stion授權(quán)并移轉(zhuǎn)的薄膜銅銦鎵硒(CIGS)技術(shù)，TSMC未來將以自有品牌全球銷售其太陽能產(chǎn)品。