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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

作者: 時間:2010-09-27 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  光電元件內(nèi)的控制電路示例

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/113045.htm

  關(guān)于光電元件內(nèi)部所內(nèi)置的控制電路,如圖3的(a)~(c)所示,迄今為止提出了以下若干種電路。下面將簡單地介紹這些電路。

  ?(a)的控制電路

 

  圖3(a) FET型輸出光電耦合器控制電路

  (a)的電路圖是最基本的電路,我們?yōu)榱思涌鞌嚅_時間,使輸出MOS的柵極電荷在斷開時放電,因此在柵極?源極之間連接固定電阻。但是,在接通電路時,為了使輸出MOS的柵極容量得到充電,使用了光電二極管陣列(P.D.A),其產(chǎn)生的光電流在通過該電阻時會發(fā)生漏電,從而導(dǎo)致接通時間變長。

  另外,還存在以下缺點:如圖4所示,相對于輸入電流的變化,輸出電流也平緩地發(fā)生變化,因此轉(zhuǎn)換元件所要求的速動性會變差,另外因溫度變化所引起的特性變動也較大。

  ?(b)的控制電路

 

  圖3(b) FET型輸出光電耦合器控制電路

  該電路的速動性要比(a)電路好,但是,由于插入在輸出MOS柵極?源極之間的晶體管為常開型,因此抗外來干擾性較差。

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關(guān)鍵詞: Panansonic PhotoMOS MOSFET

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