Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

　　光電元件內(nèi)的控制電路示例

　　關(guān)于光電元件內(nèi)部所內(nèi)置的控制電路，如圖3的(a)~(c)所示，迄今為止提出了以下若干種電路。下面將簡(jiǎn)單地介紹這些電路。

　　?(a)的控制電路

　　圖3(a) FET型MOSFET輸出光電耦合器控制電路

　　(a)的電路圖是最基本的電路，我們?yōu)榱思涌鞌嚅_時(shí)間，使輸出MOS的柵極電荷在斷開時(shí)放電，因此在柵極?源極之間連接固定電阻。但是，在接通電路時(shí)，為了使輸出MOS的柵極容量得到充電，使用了光電二極管陣列(P.D.A)，其產(chǎn)生的光電流在通過(guò)該電阻時(shí)會(huì)發(fā)生漏電，從而導(dǎo)致接通時(shí)間變長(zhǎng)。

　　另外，還存在以下缺點(diǎn)：如圖4所示，相對(duì)于輸入電流的變化，輸出電流也平緩地發(fā)生變化，因此轉(zhuǎn)換元件所要求的速動(dòng)性會(huì)變差，另外因溫度變化所引起的特性變動(dòng)也較大。

　　?(b)的控制電路

　　圖3(b) FET型MOSFET輸出光電耦合器控制電路

　　該電路的速動(dòng)性要比(a)電路好，但是，由于插入在輸出MOS柵極?源極之間的晶體管為常開型，因此抗外來(lái)干擾性較差。