三星否認(rèn)將與東芝英特爾共開發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),針對(duì)日前日本經(jīng)濟(jì)新聞發(fā)布的全球性半導(dǎo)體3大龍頭三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)將共同研發(fā)次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)等相關(guān)新聞內(nèi)容,三星方面已鄭重否認(rèn)。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/114117.htm日本經(jīng)濟(jì)新聞10月29日?qǐng)?bào)導(dǎo)三星、東芝和英特爾等將設(shè)立國(guó)際性研究組織,至2016年共同研究開發(fā)半導(dǎo)體線幅縮減至10奈米的制程技術(shù)。報(bào)導(dǎo)中指出,該企劃是由東芝主導(dǎo),并由參與的日本業(yè)者出資100億日?qǐng)A(約1.2億美元)進(jìn)行,其中日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省也將資助50億日?qǐng)A補(bǔ)助金。然而三星方面對(duì)該相關(guān)報(bào)導(dǎo)已慎重否認(rèn),并謹(jǐn)慎防范此舉被擴(kuò)大解釋的可能性。
三星相關(guān)人員表示,相信半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)者皆將積極研究開發(fā)次世代微細(xì)制程,然三星未曾公開表示將與日本方面共同開發(fā)相關(guān)設(shè)備及材料。報(bào)導(dǎo)內(nèi)容看起來是日方的相關(guān)計(jì)劃,但三星方面至2016年為止并無特定計(jì)劃及相關(guān)發(fā)表內(nèi)容。
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