海力士期望大陸市場能給其帶來轉機
全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱,營運獲利下滑加上淡季效應與產(chǎn)品價格走跌等因素,有鑒于大陸市場潛力巨大,該公司擬加碼大陸資本投資金額,希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負責人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示,公司計劃提高大陸廠制程技術,以生產(chǎn)高階晶片。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/115182.htm海力士過去與恒憶半導體(Numonyx)合資在江蘇無錫建廠,近期北京當局已批準海力士提出的收購計劃,同意海力士以4.23億美元,收購恒憶握有的20.7%股份,將無錫廠房轉為海力士獨資企業(yè)。
Lee指出,江蘇外商投資屬海力士無錫廠規(guī)模最巨,加上大陸當局提供行政協(xié)助,企業(yè)享有租稅優(yōu)惠,無錫廠于投產(chǎn)1年內便出現(xiàn)收益,當前該廠每月產(chǎn)能達16萬片12吋晶圓,產(chǎn)能占海力士整體產(chǎn)出約5成,占全球DRAM產(chǎn)能11%左右。
當前公司從南韓派出上百名專業(yè)人士,赴無錫廠協(xié)助提升制程技術,以便該廠未來有能力生產(chǎn)高階晶片。無錫廠當前傾注全力,加碼投資,矢志于2011年起開始制造電腦用高階記憶體晶片。
該廠將使用44納米制程,加重高階DRAM芯片產(chǎn)出比重,海力士2010年無錫廠投資金額總計將上探7億美元,據(jù)該公司表示,該廠投資額將于2010年底攀升至55億美元。此外海力2011年還會再度提升DRAM納米制程技術。計劃未來3年內每年皆將挹注等資金額,進行技術升級。
近期面對日本同業(yè)爾必達(Elpida)工布削減產(chǎn)能計劃,Lee有意借機拉大與競爭對手差距。然因當前廠房尚有空間安裝12吋晶圓設備,因此預期2013年前不會在大陸新建廠房。此外海力士與大陸本土企業(yè)無錫產(chǎn)業(yè)集團合資成立海太半導體,為海力士首座后端晶片(Back-EndChip)廠,當前已開始進行封測業(yè)務,每月產(chǎn)能達1億片1GDRAM記憶體晶片。海太廠房鄰近海力士無錫廠,可為海力士帶來物流優(yōu)勢。
海力士認為大陸市場重要性攀升,決定采取先發(fā)制人策略,于當?shù)剡M行高階制程技術投資,目前已可見到初期效果。市場預估,2010年全球DRAM需求將有2成源自大陸地區(qū)。
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