2011年DRAM位元成長率上看50%

　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴產(chǎn)計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%。

　　三星電子2010年上半宣布的巨額資本支出計劃震撼半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，其中主要的資本支出都以半導(dǎo)體和面板為主，預(yù)計投資在存儲器的金額高達9兆韓元，包括興建12寸晶圓廠Line-16，其月產(chǎn)能將達20萬片，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，同時也有另一部分的資本支出適用于晶圓代工和邏輯事業(yè)上。

　　不過，隨著2010年下半存儲器景氣反轉(zhuǎn)，價格大崩盤，雖然三星成本相當(dāng)?shù)停虼朔€(wěn)如泰山，但三星其實也針對Line-16這做新12寸晶圓廠考慮放緩腳步或是先以NAND Flash芯片為主。

　　不論如何，整個2011年DRAM產(chǎn)業(yè)主要的位元成長性，最大宗仍是來自于制程微縮的貢獻，其中國際大廠都是積極從40納米制程轉(zhuǎn)進30納米制程，進度最快的會是三星;而臺系DRAM廠則是積極從現(xiàn)有的70納米、60納米或是50納米等，轉(zhuǎn)進40納米制程。

　　其中瑞晶速度最快，預(yù)計2011年底前，旗下8萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能將100%都轉(zhuǎn)進爾必達的45納米制程，瑞晶未來在爾必達的制程技術(shù)研發(fā)上，將占有重要角色，瑞晶已成為臺灣第1家向艾司摩爾(ASML)下訂深紫外光(EUV)機臺的DRAM廠。

　　其它象是南亞科、華亞科都將從50納米轉(zhuǎn)進42納米制程，力晶也將從63納米轉(zhuǎn)進45納米制程。

　　根據(jù)集邦科技統(tǒng)計，2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%，三星電子預(yù)期35納米制程比重將在2011年下半超過50%，而海力士、爾必達和美光將會在第2季大量產(chǎn)出30納米制程。

　　再者，對于DRAM價格走勢，集邦也預(yù)期DRAM價格會從2011年第1季或是第2季末開始反彈，估計2011年個人計算機(PC)成長率將達11.8%，平板計算機(Tablet PC)將刺激Mobile DRAM成長80%。

　　業(yè)者也預(yù)期，2011年第1季DRAM價格如果持續(xù)下滑，將給第2季刺激需求出籠一個很好的引爆點。

　　在終端應(yīng)用方面，雖然市場都擔(dān)心平板計算機或是Netbook流行的趨勢，會影響DRAM消耗量，對于整個DRAM產(chǎn)業(yè)是開倒車，但在Netbook方面，集邦也預(yù)估2011年Netbook存儲器搭載率也會被拉升至2.13GB，年成長率將達105%，而桌上型計算機(DT)和筆記型計算機(NB)的存儲器搭載率將提升36%和31%，會到4.22GB和4.00GB。