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IR推出30V DirectFET MOSFET芯片組

—— 為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用而設(shè)計
作者: 時間:2010-12-14 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱) 推出了F6708S2和F6728M 30V DirectFET ,特別為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用 (如筆記本電腦) 而設(shè)計。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/115464.htm

  IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數(shù)量達30%,大幅降低了整體系統(tǒng)成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ,最大限度減少了傳導(dǎo)及開關(guān)損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ,可以降低與體二極管導(dǎo)通和反向恢復(fù)相關(guān)的損耗。

  IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IRF6708S2和IRF6728M芯片組能夠為注重成本的DC-DC開關(guān)應(yīng)用提供高效率、且具有成本效益的解決方案,而DirectFET確保的卓越熱特性充分體現(xiàn)了一流的整體價值。”

  IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技術(shù)。這些新器件除了擁有低導(dǎo)通電阻和低電荷,也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。

  產(chǎn)品詳細數(shù)據(jù)及應(yīng)用說明可瀏覽IR網(wǎng)頁www.irf.com。

  新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ,現(xiàn)已接受批量訂單。



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