2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%

　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率，仍都是來(lái)自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過(guò)50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(BitGrowth)將增加50%。

　　三星電子2010年上半宣布的巨額資本支出計(jì)劃震撼半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，其中主要的資本支出都以半導(dǎo)體和面板為主，預(yù)計(jì)投資在存儲(chǔ)器的金額高達(dá)9兆韓元，包括興建12寸晶圓廠Line-16，其月產(chǎn)能將達(dá)20萬(wàn)片，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，同時(shí)也有另一部分的資本支出適用于晶圓代工和邏輯事業(yè)上。

　　不過(guò)，隨著2010年下半存儲(chǔ)器景氣反轉(zhuǎn)，價(jià)格大崩盤，雖然三星成本相當(dāng)?shù)停虼朔€(wěn)如泰山，但三星其實(shí)也針對(duì)Line-16這做新12寸晶圓廠考慮放緩腳步或是先以NANDFlash芯片為主。

　　不論如何，整個(gè)2011年DRAM產(chǎn)業(yè)主要的位元成長(zhǎng)性，最大宗仍是來(lái)自于制程微縮的貢獻(xiàn)，其中國(guó)際大廠都是積極從40納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，進(jìn)度最快的會(huì)是三星;而臺(tái)系DRAM廠則是積極從現(xiàn)有的70納米、60納米或是50納米等，轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程。

　　其中瑞晶速度最快，預(yù)計(jì)2011年底前，旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠產(chǎn)能將100%都轉(zhuǎn)進(jìn)爾必達(dá)的45納米制程，瑞晶未來(lái)在爾必達(dá)的制程技術(shù)研發(fā)上，將占有重要角色，瑞晶已成為臺(tái)灣第1家向艾司摩爾(ASML)下訂深紫外光(EUV)機(jī)臺(tái)的DRAM廠。

　　其它象是南亞科、華亞科都將從50納米轉(zhuǎn)進(jìn)42納米制程，力晶也將從63納米轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程。

　　根據(jù)集邦科技統(tǒng)計(jì)，2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(BitGrowth)將增加50%，三星電子預(yù)期35納米制程比重將在2011年下半超過(guò)50%，而海力士、爾必達(dá)和美光將會(huì)在第2季大量產(chǎn)出30納米制程。

　　再者，對(duì)于DRAM價(jià)格走勢(shì)，集邦也預(yù)期DRAM價(jià)格會(huì)從2011年第1季或是第2季末開(kāi)始反彈，估計(jì)2011年個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)成長(zhǎng)率將達(dá)11.8%，平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)將刺激MobileDRAM成長(zhǎng)80%。

　　業(yè)者也預(yù)期，2011年第1季DRAM價(jià)格如果持續(xù)下滑，將給第2季刺激需求出籠一個(gè)很好的引爆點(diǎn)。

　　在終端應(yīng)用方面，雖然市場(chǎng)都擔(dān)心平板計(jì)算機(jī)或是Netbook流行的趨勢(shì)，會(huì)影響DRAM消耗量，對(duì)于整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)是開(kāi)倒車，但在Netbook方面，集邦也預(yù)估2011年Netbook存儲(chǔ)器搭載率也會(huì)被拉升至2.13GB，年成長(zhǎng)率將達(dá)105%，而桌上型計(jì)算機(jī)(DT)和筆記型計(jì)算機(jī)(NB)的存儲(chǔ)器搭載率將提升36%和31%，會(huì)到4.22GB和4.00GB。