新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 安智電子材料與IBM共同開發(fā)新世代微影技術(shù)

安智電子材料與IBM共同開發(fā)新世代微影技術(shù)

—— 這項基礎(chǔ)研究將影響工業(yè)的發(fā)展應(yīng)用
作者: 時間:2010-12-29 來源:安智電子材料 收藏

  在和平面顯示器產(chǎn)業(yè)居領(lǐng)導地位的主要電子化學品供應(yīng)商(AZ)電子材料(倫敦股票交易所:AZEM)與IBM簽署了一項協(xié)議(紐約證券交易所:IBM)開發(fā)新世代的微影技術(shù)。將與IBM-Almaden研究中心的材料研發(fā)團隊共同開發(fā)一種以塊狀聚合物為基礎(chǔ)的材料,可以應(yīng)用在與傳統(tǒng)的微影及制程設(shè)備相容的定向自組裝(Directed Self-Assembly, DSA)制程。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/115841.htm

  市場預估應(yīng)用奈米技術(shù)的產(chǎn)品到2015年將達到2.41兆美元的規(guī)模,因此降低制造成本,改善元件性能是必要的。這項致力于基礎(chǔ)科學研究及解決方案的合作,將廣泛影響工業(yè)的發(fā)展應(yīng)用,包括從醫(yī)療到消費性電子裝置的手機和電腦等的應(yīng)用。例如,根據(jù)2009年國際半導體技術(shù)藍圖(www.itrs.net),DSA技術(shù)已經(jīng)被視為可以滿足16奈米及11奈米半間距(half-pitch)設(shè)計要求的潛在制程。

  與IBM-Almaden研發(fā)團隊的合作,提供AZ很好的機會,運用既有領(lǐng)先的底層技術(shù)、材料設(shè)計和放大能力,發(fā)展替代的定義圖案(patterning)解決方案,的執(zhí)行長Geoff Wild表示: 「IBM在這個領(lǐng)域的先驅(qū)地位,為AZ-IBM這項未來應(yīng)用于半導體制造技術(shù)的DSA制程的成功,奠定了深厚的技術(shù)基礎(chǔ)?!埂?/p>

  “當半導體產(chǎn)業(yè)朝向,克服縮小設(shè)計節(jié)點的既有挑戰(zhàn),導致了設(shè)計、制程開發(fā)和光罩成本的上升”,IBM研發(fā)的副總裁TC 陳說:“與安智的合作將使我們能夠發(fā)展新的突破性及創(chuàng)新性的微影技術(shù),使得整體半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展持續(xù)前進,同時兼顧降低生產(chǎn)設(shè)備及制程的總成本”。

  “從長遠來說,我預期電子產(chǎn)業(yè)將持續(xù)專注于改善操作成本。其中一個方式是藉由導入由下而上的制程,使用〝智慧型化學品〞來擴展和增強用于定義圖案的半導體設(shè)備功能”,安智的技術(shù)長Ralph Dammel表示:“DSA技術(shù)正是朝此方向邁進,我期待我們將會看到這項技術(shù)的實際應(yīng)用遠多于我們現(xiàn)在所討論的,這也正是安智企盼建構(gòu)在IBM多年DSA的經(jīng)驗基礎(chǔ)上,使我們能成為這項材料的首要供應(yīng)商”。

  這個長達多年的合作計劃,將會在安智電子材料位于美國、德國、韓國的研發(fā)單位以及IBM在美國的Almaden研發(fā)中心共同進行。



關(guān)鍵詞: 安智 半導體

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉