三星權五鉉：DRAM可能第一季觸底回升

　　三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)部社長權五鉉，出席2011年IT產(chǎn)業(yè)新年見面會時曾表示，DRAM價格可能提早于第1季觸底并回升，第1季內(nèi)價格將有小幅下跌，價格隨即出現(xiàn)反彈，但不確定會發(fā)生在2月或3月。

　　DRAM價格從2010年第3季開始價格持續(xù)呈現(xiàn)跌幅，而2010年12月更是跌破1美元關卡，進入2011年后始見緩和。韓國業(yè)界也有推測指出，DRAM市場有可能更快趨于穩(wěn)定。業(yè)者認為權五鉉的發(fā)言是暗示DRAM價格已接近谷底。

　　此外，權五鉉也表示，快閃存儲器(NAND Flash)于2011年內(nèi)將會維持穩(wěn)定的上升勢。平板計算機(Tablet)、智能型手機(Smartphone)需求穩(wěn)定，固態(tài)硬盤(SSD)的需求也正逐漸增加，因此價格能維持穩(wěn)定，甚至可能因需求增加而出現(xiàn)價格暴漲情況。

　　權五鉉對于2011年三星對半導體的投資案表示，先前已宣布將投資約10.3兆韓元(約92.08億美元)發(fā)展半導體事業(yè)，系統(tǒng)LSI領域約4兆韓元(約3.58億美元)，其余則將投資存儲器事業(yè)。而10.3兆韓元投資額將視每季市場情況決定是否要進行追加投資。而權五鉉對16產(chǎn)線則未透露任何消息。

　　近來韓國政府將系統(tǒng)單芯片列入重點培育事業(yè)，權五鉉對此表示，美國奧斯汀廠系統(tǒng)LSI產(chǎn)線將會如同先前公布的內(nèi)容一樣，2010年及2011年合計投資4.5兆韓元(約40.23億美元)。

　　此外，美國奧斯汀廠產(chǎn)線將于2011年下半投入量產(chǎn)。32納米制程也將于2011年下半推出實驗性產(chǎn)品，并自2012年起生產(chǎn)多數(shù)的系統(tǒng)單芯片。對于晶圓代工方面則表示，2010年首度擠進10大企業(yè)中，2011年機會更努力，成為領先企業(yè)。

　　海力士(Hynix)社長權五哲則認為目前DRAM價格已至谷底，并預測第1季便可能出現(xiàn)反彈。對于系統(tǒng)單芯片方面，權五哲則表示，所有事情都有先后順序，將會先把存儲器領域做好，才發(fā)展其它事業(yè)。