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三星電子擬推新1GB移動DRAM

—— 應用于移動設備
作者: 時間:2011-02-21 來源:cnBeta 收藏

  電子宣布,計劃推出裝有新寬I/O接口的1GB移動,以應用于智能手機和平板電腦等移動設備,將采用50納米級工藝技術(shù),傳輸速度可達12.8GB/秒。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/117058.htm

  韓國電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)2月21日宣布,這家先進內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的全球龍頭企業(yè)正在開發(fā)裝有寬I/O接口的1GB移動(dynamic random access memory),將使用50納米級工藝技術(shù)。新的寬I/O移動將被用于移動應用設備,諸如智能手機和平板電腦。

  電子高級副總裁、存儲產(chǎn)品規(guī)劃與應用工程師Byungse So表示,“繼2010年開發(fā)出4GB的LPDDR2 DRAM(低功耗DDR2 DRAM)后,裝有I/O接口的新款移動DRAM解決方案將為高性能移動產(chǎn)品的進步做出重要貢獻。”他表示,“我們將繼續(xù)積極拓展高性能移動存儲產(chǎn)品陣容,以進一步推進移動產(chǎn)業(yè)的成長。”

  全新的1GB寬I/O移動DRAM數(shù)據(jù)傳輸速度可達12.8GB/秒,相當于移動DDR DRAM帶寬(1.6GB/秒)的八倍,LPDDR2 DRAM貸款(約達3.2GB/秒)的四倍,同時將減少大約87%的功耗。

  為了提高數(shù)據(jù)傳輸,三星的寬I/O DRAM使用了512根引腳進行數(shù)據(jù)輸入和輸出,相比之下,早期的移動DRAM采用了最多32根引腳。如果計入發(fā)送指令和調(diào)節(jié)電源的引腳,則單一三星寬I/O DRAM計劃將配有大約1,200根引腳。

  推出這一寬I/O DRAM之后,三星電子計劃在2013年內(nèi)推出20納米級4GB寬I/O移動DRAM。該公司最近在移動DRAM領(lǐng)域取得的成就包括在2009年推出首個 50納米級LPDDR2 1GB DRAM,以及在2010年推出首個40納米級 2GB LPDDR2 DRAM。

  三星將在2011的ISSCC (International Solid-State Circuits Conference)會議上呈現(xiàn)一份有關(guān)廣泛I/O DRAM技術(shù)的文件,此次大會將于從2月20日至24日在舊金山舉行。

  根據(jù)iSuppli,到2014年,移動DRAM占年度DRAM總出貨量的比例將從2010年的11.1%增加至約16.5%。



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