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三星開始量產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片

—— 此芯片基于30納米級技術(shù)
作者: 時(shí)間:2011-03-28 來源:賽迪網(wǎng) 收藏

  全球最大的內(nèi)存芯片廠商電子周四稱,它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新型移動(dòng)內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片在更薄的封裝中增加內(nèi)存的密度。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/118114.htm

  在聲明中稱,本月初開始大批量生產(chǎn)基于30納米級技術(shù)的4GB低功率雙數(shù)據(jù)速率2(LPDDR2) 內(nèi)存芯片。

  三星去年12月開發(fā)出移動(dòng)內(nèi)存芯片。三星稱,它是內(nèi)存行業(yè)首家使用30納米級技術(shù)生產(chǎn)這種內(nèi)存芯片的廠商。這將提高芯片的生產(chǎn)效率和節(jié)省成本。新型芯片比以前的芯片生產(chǎn)效率提高了大約60%。

  最新的移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片能夠用于智能手機(jī)、平板電腦和其它更薄、更輕和速度更快的移動(dòng)設(shè)備。這種新型DRAM內(nèi)存芯片僅把兩個(gè)芯片疊加在一起都達(dá)到了四個(gè)芯片疊加在一起的同樣密度,從而減小了芯片的尺寸。三星負(fù)責(zé)內(nèi)存銷售和營銷的執(zhí)行副總裁Hong Wan-hoon在聲明中稱,這種新的移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片能夠讓我們的OEM廠商客戶更快地把更加差異化的高性能移動(dòng)設(shè)備推向市場。



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