海力士看好存儲器價格反彈
韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市,發(fā)表脫離谷底的看法,對于臺系DRAM廠而言,可望注入強心針。在硅晶圓部分,海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存,短期仍可支應生產(chǎn),但中長線來看,日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清,目前市場買盤多是邊走邊看,沒有一窩蜂搶貨,但也會擔心日后供給吃緊造成漲價問題。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/118322.htm日本地震過后,各家DRAM廠都紛紛調(diào)高售價,市場買盤強度中等,并未出現(xiàn)一窩蜂搶貨情況,原本供過于求嚴重的DRAM產(chǎn)業(yè),各業(yè)者都認為DRAM售價會逐漸觸底反彈,美光(Micron)執(zhí)行長Steve Appleton日前也出面表示,看好3~5月的DRAM報價將落底反彈,而30日海力士社長權(quán)五哲也呼應表示,存儲器價格會逐漸落底反彈。
硅晶圓方面,海力士認為目前庫存還維持約45天,短期內(nèi)不會受到影響;臺廠認為,目前各家?guī)齑娑季S持1~2個月水平,短期內(nèi)尚不成問題,但中長期來看,沒有一家業(yè)者敢掛保證長期確定會供貨無慮,因為2大硅晶圓廠都還為宣布完全復工,因此真正的供貨壓力會在5月之后浮現(xiàn)。
臺系DRAM廠中,南亞科和華亞科主要依賴臺塑集團和Sumco合資的臺勝科供應硅晶圓,供貨上較為安全,而在爾必達(Elpida)陣營中,主要依賴這次受日本強震影響嚴重的信越半導體,加上是采用高階制程用的EPI Wafer,目前也找其它硅晶圓供應商支持。
雖然受到日本地震干擾,但三星電子(Samsung Electronics)和海力士在制程微縮進度上都持續(xù)往前,三星2011年下半30納米制程會占超過50%比重,海力士也表示2011年底30納米制程比重會提升至40%,2家公司也將開始持續(xù)研發(fā)20納米制程,預計20納米制程會在2012年問世量產(chǎn)。
臺廠在制程微縮進度上,相較三星等大廠會晚一些,2011年中開始,會陸續(xù)導入30納米制程,其中南亞科和華亞科會和美光(Micron)共同轉(zhuǎn)進37納米制程,爾必達和瑞晶2011年也會陸續(xù)到入30納米制程,進一步驅(qū)動成本下降。
業(yè)者認為,這次日本強震后,雖然各廠都受到硅晶圓和化學材料供應不順影響,但相較之下,其實韓系存儲器廠受到影響較小,臺灣則因為與日系業(yè)者聯(lián)系度較高,因此多少會受影響;日前海力士即表示,可趁此機會逐漸提升全球市存儲器的市占率。
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