爾必達開發(fā)出25nm制程2Gb DDR3內存芯片

　　日本爾必達公司宣布開發(fā)出25nm制程2Gb密度DDR3內存芯片產品，這款產品可支持DDR3-1866規(guī)格，并兼容1.35V工作電壓條件下的DDR3L-1600工作模式。預計芯片樣品將于今年7月份開始向外出售，芯片的量產則也將在同一時期啟動。

　　比較爾必達現有的30nm制程2Gb密度產品，新款25nm 2Gb密度產品的存儲單元面積下降了30%，芯片產出量則高出了30%。

　　新25nm制程產品主要面向低能耗PC或消費電子設備應用市場，比較現有的30nm產品，25nm制程產品的工作電流下降了15%，待機電流則下降了29%。

　　除了2Gb密度的產品之外，爾必達還表示將于年底前開始25nm制程4Gb密度DDR3內存芯片的量產，相比30nm制程產品，25nm制程4Gb密度芯片的每片晶圓芯片產出量將提升44%左右。

　　另外，爾必達還表示新25nm制程將被應用在還在進一步開發(fā)中的移動設備用內存芯片上。