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2015年DRAM產(chǎn)業(yè)仍將朝向穩(wěn)定獲利前進

  • 　　全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，雖然三星與SK海力士的新工廠仍將于2015年陸續(xù)完工，但明年度的投片計劃正仍在進行調(diào)整，如三星Line17工廠原本預定第二季大量投片的計劃已經(jīng)遞延，自明年第二季從每月10K開始增加，采隨市場狀況的漸進式增產(chǎn)，此舉不光可以穩(wěn)定獲利結(jié)構(gòu)，亦可隨時調(diào)整產(chǎn)品類別與比重，預計明年年末投片暫定為40K。但此同時隨著20nm制程的比重提升，該制程由于復雜度高，舊工廠在空間不足亦無法增添新設(shè)備下，投片會有減少的可能性，整體來看，三星即
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爾必達25nm制程4Gbit內(nèi)存顆粒開發(fā)完成

  • 　　爾必達曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內(nèi)存顆粒正式開始出貨。今日該公司正式發(fā)表公告稱，采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發(fā)完成，芯片面積在同類產(chǎn)品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界最小。 　
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爾必達開發(fā)出25nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　日本爾必達公司宣布開發(fā)出25nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，這款產(chǎn)品可支持DDR3-1866規(guī)格，并兼容1.35V工作電壓條件下的DDR3L-1600工作模式。預計芯片樣品將于今年7月份開始向外出售，芯片的量產(chǎn)則也將在同一時期啟動。 　　
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傳Intel 25nm閃存固態(tài)硬盤延期至明年2月

  • 　　Intel與美光合資公司出品的25nm工藝NAND閃存在今年5月就已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)。原本我們認為，Intel計劃中在今年四季度推出采用該閃存的第三代固態(tài)硬盤產(chǎn)品已經(jīng)足夠穩(wěn)健了。但根據(jù)歐洲媒體近日得到的消息，Intel近期又修改計劃，將該系列固態(tài)硬盤的發(fā)布時間推遲到了明年2月。根據(jù)之前泄露的路線圖，Intel 計劃在今年四季度推出代號Postville Refresh的第三代X25-M以及X25-V。憑借25nm工藝MLC NAND閃存的優(yōu)勢，實現(xiàn)容量翻倍，性能提升，更重要的是價格大幅下降。而到了明年一季
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Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片

  • 　　Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進行評估，預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。 　　這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設(shè)計，一個存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。 　　這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
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英特爾與鎂光開始出樣25nm TLC閃存

  • 　　英特爾今天宣布和鎂光一起發(fā)布25nm TLC閃存的第一款樣品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1個內(nèi)存儲存單元可存放3位元。TLC速度慢，壽命短，但成本低，價格也較便宜，有2000-5000次擦寫壽命，非常適合U盤、SD卡和消費電子產(chǎn)品。新發(fā)布的芯片擁有8GB容量，芯片面積131平方毫米，比25納米制程MLC還小20%，以下是圖像：
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Intel鎂光宣布開始量產(chǎn)銷售25nm制程NAND閃存芯片

  • 　　繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對外銷售量產(chǎn)的25nm制程NAND閃存芯片，這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。 　　這次采用25nm制程技術(shù)制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時時長的視頻片段。 　　目前還不清楚首款配置這
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Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售

  • 　　Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚些時候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。 　　IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進軍到30nm之下，并應用了沉浸式光刻技術(shù)。新閃存內(nèi)核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總?cè)萘?GB，相比現(xiàn)有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內(nèi)核面積卻小了十分之一。 　　Intel NA
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鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉(zhuǎn)向更高級別制程

  • 　　鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片，并將于明年轉(zhuǎn)向更高級別的制程。他并表示鎂光也計劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù)，以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。 　　Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
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Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存

  • 　　由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領(lǐng)先其他競爭對手長達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進，每12-15個月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先六個月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
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