英特爾發(fā)布22nm技術(shù)
英特爾于5月4日宣布將在22nm節(jié)點(diǎn)采用“Tri-Gate”(三柵)晶體管技術(shù),實(shí)現(xiàn)了歷史性的技術(shù)突破。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/119253.htm據(jù)英特爾介紹說(shuō),3-D Tri-Gate晶體管能夠支持技術(shù)發(fā)展速度,它能讓摩爾定律延續(xù)數(shù)年。該技術(shù)能促進(jìn)處理器性能大幅提升,并且可以更節(jié)能,新技術(shù)將用在未來(lái)22納米設(shè)備中,包括小的手機(jī)到大的云計(jì)算服務(wù)器都可以使用。
英特爾展示了22納米處理器,代號(hào)為Ivy Bridge,它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。
英特爾CEO歐德寧說(shuō):“英特爾的科學(xué)家和工程師曾經(jīng)重新發(fā)明晶體管,這一次利用了3D架構(gòu)。很讓人震驚,改變世界的設(shè)備將被創(chuàng)造出來(lái),我們將把摩爾定律帶入新的領(lǐng)域。”
長(zhǎng)久以來(lái),科學(xué)家就認(rèn)識(shí)到3D架構(gòu)可以延長(zhǎng)摩爾定律時(shí)限。這次突破可以讓英特爾量產(chǎn)3-D Tri-Gate晶體管,從而進(jìn)入到摩爾定律的下一領(lǐng)域。
摩爾定律認(rèn)為由于硅技術(shù)的發(fā)展,每2年晶體管密度就會(huì)翻倍,它能增強(qiáng)功能和性能,降低成本。在過(guò)去四十年里,摩爾定律成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基本商業(yè)模式。
通過(guò)使用3D晶體管,芯片可以在低電壓和低漏電下運(yùn)行,從而使性能和能耗取得大幅改進(jìn)。在低電壓條件下,22納米的3-D Tri-Gate晶體管比英特爾32納米平面晶體管性能提高37%。這意味著它能用在許多小的手持設(shè)備中。另外,在相同的性能條件下,新的晶體管耗電不及2D平板晶體管、32納米芯片的一半。
首款3-D Tri-Gate晶體管22納米芯片代號(hào)為Ivy Bridge,英特爾展示了該芯片,它能用在筆記本、服務(wù)器和臺(tái)式機(jī)中。Ivy Bridge家族的芯片將成為首個(gè)大量生產(chǎn)的3-D Tri-Gate晶體管芯片,它將在年底開(kāi)始量產(chǎn)。3-D Tri-Gate晶體管還將用在凌動(dòng)芯片中。
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