三星晶圓代工28納米低功率制程通過認證

　　韓國半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)于美國時間6日發(fā)出新聞稿表示，該公司旗下晶圓代工部門之28納米低功率(low-power;LP)、高介電/金屬閘極 (high-k metal gate)制程已經(jīng)通過認證，目前已準備好可以導入正式投產(chǎn)。

　　此外，三星電子也提供28納米LPH高介電/金屬閘極制程科技服務。據(jù)悉，28納米LPH制程是特別開發(fā)用來打造運算速度超過2GHz的行動裝置應用。

　　三星表示，28納米LPH制程科技可望降低6成以上的耗電量，或者是在與45納米LP系統(tǒng)單芯片制程設計比較時，可望提高55%以上的運算效能。