三星晶圓代工28納米低功率制程通過認(rèn)證
—— 準(zhǔn)備導(dǎo)入正式量產(chǎn)
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韓國半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)于美國時間6日發(fā)出新聞稿表示，該公司旗下晶圓代工部門之28納米低功率(low-power;LP)、高介電/金屬閘極 (high-k metal gate)制程已經(jīng)通過認(rèn)證，目前已準(zhǔn)備好可以導(dǎo)入正式投產(chǎn)。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/120145.htm此外，三星電子也提供28納米LPH高介電/金屬閘極制程科技服務(wù)。據(jù)悉，28納米LPH制程是特別開發(fā)用來打造運(yùn)算速度超過2GHz的行動裝置應(yīng)用。
三星表示，28納米LPH制程科技可望降低6成以上的耗電量，或者是在與45納米LP系統(tǒng)單芯片制程設(shè)計比較時，可望提高55%以上的運(yùn)算效能。
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