WSTS更新半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)

　　WSTS(全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織)日前發(fā)布了WSTS2011年春季半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)。與2010年11月發(fā)布的秋季預(yù)測(cè)相比，整體進(jìn)行了上調(diào)。其中，只有日本市場(chǎng)進(jìn)行了下調(diào)。下調(diào)的原因是，日本在短期內(nèi)會(huì)受到東日本大震災(zāi)造成的影響，從中長(zhǎng)期來(lái)看日本市場(chǎng)的主力——消費(fèi)產(chǎn)品用半導(dǎo)體將陷入低迷，無(wú)法推動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。

　　WSTS發(fā)布的資料顯示，預(yù)計(jì)2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為比上年增加5.4%的3144億1000萬(wàn)美元，比秋季預(yù)測(cè)的3138億3700萬(wàn)美元上調(diào)了3億7300萬(wàn)美元。WSTS預(yù)測(cè)認(rèn)為，之后仍將繼續(xù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，2012年為比上年增加7.8%的3383億7500萬(wàn)美元、2013年為比上年增加5.4%的3566億1300萬(wàn)美元。最終，2010～2013年的年均增長(zhǎng)率將達(dá)到6.1%/年。除日本外，其他所有地區(qū)都呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。美國(guó)為7.5%/年、歐洲為8.1%/年、亞太地區(qū)為6.2%年。均超過(guò)全球年均增長(zhǎng)率。

　　只有日本市場(chǎng)低于全球水平。其年均增長(zhǎng)率為2.5%/年。雖然這個(gè)數(shù)值較低，但也呈現(xiàn)出了增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。不過(guò)，其中包含了2011年日元不斷升值帶來(lái)的效應(yīng)，如果按日元換算的話(huà)，僅為0.3%/年，幾乎沒(méi)有增長(zhǎng)。具體情況是，預(yù)計(jì)2011年日元和美元的匯率將從2010年的87.7日元/美元升至82.3日元/美元。因此，2011年日本市場(chǎng)按日元換算，將比上年大幅下滑12.0%，按美元換算將比上年下滑6.2%。換算成日元來(lái)看，日本市場(chǎng)進(jìn)入2013年后的規(guī)模也只有4萬(wàn)億1255億日元，僅為歷史最高水平——2007年5萬(wàn)億7497億日元的70%左右。另外，預(yù)計(jì)2012年和2013年的匯率均將保持82.3日元/美元。

　　從不同產(chǎn)品來(lái)看，2010～2013年年均增長(zhǎng)率較高的是傳感器和MOS Micro，均超過(guò)了10%/年。年均增長(zhǎng)率較低的是MOS存儲(chǔ)器，僅為0.9%。此外均在5～7%/年的范圍內(nèi)。MOS存儲(chǔ)器增長(zhǎng)率較低的原因是，2011年為比上年減少2.7%的負(fù)增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)NAND閃存將比上年增加15.6%，繼續(xù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，但DRAM由于價(jià)格下滑等影響，將比上年減少11.5%。