IMS Research發(fā)布2010年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)報(bào)告
—— 2010年增長(zhǎng)率達(dá)到43%
根據(jù)IMS Research的最新報(bào)告,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁反彈,年增長(zhǎng)率達(dá)到43%,銷(xiāo)售額大概為160億美元,模塊產(chǎn)品增長(zhǎng)率達(dá)到了65%,遠(yuǎn)高于分立功率器件。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/121010.htm該報(bào)告認(rèn)為,英飛凌在功率MOSFET及IGBT中市場(chǎng)份額最大,三菱及富士通在模塊產(chǎn)品中份額增加,而IR、ST及Vishay則主要在分立器件中份額增加。
IMS Research表示,增長(zhǎng)主要來(lái)源于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、汽車(chē)以及計(jì)算機(jī)及辦公設(shè)備的增長(zhǎng)。
中國(guó)市場(chǎng)上IGBT的銷(xiāo)量猛增,主要是由于變頻設(shè)備的熱銷(xiāo),包括空調(diào)、洗衣機(jī)、電冰箱等家用電器。
前十大供應(yīng)商分別為:
1. Infineon
2. Mitsubishi
3. Toshiba
4. STMicroelectronics
5. Vishay
6. International Rectifier
7. Fairchild
8. Fuji Electric
9. Renesas
10. Semikron
評(píng)論