首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導體

驅(qū)動電路設計（二）——驅(qū)動器的輸入側(cè)探究

  • 驅(qū)動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態(tài)過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設計，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章以閱讀雜談的方式講詳細講解如何正確理解和應用這些功能，也建議讀者閱讀和收藏文章中推薦的資料以作參考。驅(qū)動器的輸入側(cè)一個可靠的功率半導體驅(qū)動電路設計要從輸入側(cè)開始，輸入端可能會受到干擾，控制電路也會發(fā)生邏輯錯誤，可能的誤觸發(fā)會造成系統(tǒng)輸出混亂，甚至損壞器件。一個典型的無磁芯變壓器耦合的隔離型驅(qū)動器輸入測如框圖所示，本文重點講講不起眼的IN
  • 關鍵字： 驅(qū)動電路  功率半導體  驅(qū)動器  

功率半導體驅(qū)動電源設計（一）綜述

  • 工業(yè)應用中，功率半導體的驅(qū)動電源功率不大，設計看似簡單，但要設計出簡單低成本的電路并不容易，主要難點有幾點：1 電路要求簡潔，占用線路板面積要小一個EasyPACK? 2B 1200V 100A六單元IGBT模塊，周長20cm，占板面積27cm2，很小，在四周要安排布置6路驅(qū)動和4-6路隔離電源并不容易，如果需要正負電源就更復雜。2 電力電子系統(tǒng)需要滿足相應的安規(guī)和絕緣配合標準，保證合規(guī)的爬電距離和電氣間隙，這使得PCB面積更捉襟見肘。3 對于中大功率的功率模塊，驅(qū)動板會放在模塊上方，會受熱和直面較強的電
  • 關鍵字： 功率半導體  驅(qū)動電源  電路設計  

羅姆功率半導體產(chǎn)品概要

  • 1.???? 前言近年來，全球耗電量逐年增加，在工業(yè)和交通運輸領域的增長尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎的火力發(fā)電和經(jīng)濟活動所產(chǎn)生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此，為了實現(xiàn)零碳社會，努力提高能源利用效率并實現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標。在這種背景下，羅姆致力于通過電子技術解決社會問題，專注于開發(fā)在大功率應用中可提升效率的關鍵——功率半導體，并提供相關的電源解決方案。本白皮書將通過“Power Eco Family”的品牌理念，介紹為構建應用生
  • 關鍵字： 羅姆  功率半導體  

被神秘的FS7“附體”，解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”

  • 安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術，主要性能拉滿，形成業(yè)內(nèi)獨特的領先優(yōu)勢。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件，結(jié)合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的優(yōu)點，具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術則是IGBT的一種改進技術，通過在器件的漂移區(qū)引入一個場截
  • 關鍵字： 功率半導體  onsemi  IGBT  

安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應商獎及年度最佳功率半導體獎

  • 智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi）再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應商獎，彰顯其在車用領域的卓越表現(xiàn)和領先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術帶來出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。作為全球領先的汽車半導體供應商，安森美致力于以創(chuàng)新的智能電源和智能感知技術推動汽車電氣化和智能化創(chuàng)新。安森美在多個
  • 關鍵字： 安森美  功率半導體  

德州儀器日本會津工廠開始生產(chǎn)GaN芯片，自有產(chǎn)能將提升四倍

  • 自德州儀器官網(wǎng)獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開始在日本會津工廠生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導體。隨著會津工廠的投產(chǎn)，結(jié)合其在德克薩斯州達拉斯的現(xiàn)有GaN制造能力，德州儀器的內(nèi)部GaN基功率半導體制造能力將翻四倍。德州儀器技術與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設計和制造方面擁有十多年的豐富經(jīng)驗后，TI成功地將200mm GaN技術（這是目前制造GaN的最具可擴展性和成本競爭力的方法）應用于會津工廠的量產(chǎn)。這一里程碑使德州儀器能夠在內(nèi)部制造更多的Ga
  • 關鍵字： 德州儀器  氮化鎵  功率半導體  

是德科技推出適用于功率半導體的3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)

  • ●? ?通過高壓開關矩陣實現(xiàn)一次性測試，進而提高生產(chǎn)效率●? ?該系統(tǒng)旨在提高操作人員與設備的安全性；同時確保符合相關法規(guī)要求是德科技推出適用于功率半導體的?3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)是德科技（Keysight Technologies, Inc.）近日推出全新的?4881HV?高壓晶圓測試系統(tǒng)，進一步擴展了其半導體測試產(chǎn)品組合。該解決方案通過在一次性測試中高效完成高達3kV的高低壓參數(shù)測試，從而顯著提升了功率半導體制造商的生產(chǎn)效率。傳統(tǒng)上
  • 關鍵字： 是德科技  功率半導體  高壓晶圓測試  

三星加碼氮化鎵功率半導體

  • 根據(jù)韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導體的設備。GaN是下一代功率半導體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢，IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業(yè)的增長潛力，并一直在推動其進入市場。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領域推出8英寸GaN功率半導體代工服務。”根據(jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
  • 關鍵字： 三星  氮化鎵  功率半導體  

安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應先進功率半導體

  • ●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導體供應鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當?shù)貛硐冗M的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項目之一，屬于對中歐先進半導
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅  功率半導體  

功率半導體市場起飛！

  • 近期，市場各方消息顯示，功率半導體市場逐漸開啟新一輪景氣上行周期，新潔能、揚杰科技、臺基股份等多家功率半導體公司股價紛紛上漲，包括華潤微、揚杰科技、華虹半導體等在內(nèi)的企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載，部分高性能功率器件已率先開啟漲價潮。在此市場景氣上行之際，功率半導體市場也將迎來新一輪放量周期，近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線正式開工，除此之外，包括芯聯(lián)集成、捷捷微電、芯粵能多家企業(yè)功率半導體項目也在上半年有最新動態(tài)。多家企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載從市場需求端看，消費電子行業(yè)從去年末開始緩慢
  • 關鍵字： 功率半導體  

一文搞懂IGBT

  • 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關））MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
  • 關鍵字： IGBT  功率半導體  

Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

  • 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
  • 關鍵字： 功率半導體  氮化鎵  GaN  

加速低碳化躍遷，智能功率模塊如何讓熱泵更智能？

  • 隨著企業(yè)向低碳未來邁進，市場越來越需要更高效的功率半導體。開發(fā)功率半導體解決方案的關鍵目標在于，盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸，同時提高效率。于是，智能功率模塊 (IPM) 應運而生，并成為熱泵市場備受矚目的解決方案。這種模塊結(jié)構緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進的控制與監(jiān)測功能，非常適合熱泵應用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計局數(shù)據(jù)，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過 70% 仍然來自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領域，約 80% 的最終能源消耗用于室內(nèi)和熱水供暖。熱泵（圖
  • 關鍵字： 熱泵  功率半導體  智能功率模塊  IPM  

英飛凌為麥田能源提供功率半導體，助力提升儲能應用效率

  • 英飛凌科技股份公司為快速成長的綠色能源行業(yè)領導者、逆變器及儲能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導體器件，共同推動綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供?CoolSiCTM?MOSFET 1200 V功率半導體器件，?配合EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器用于工業(yè)儲能應用。?同時，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的?IGBT7 H7 1200 V功率半導體器件。全球光儲系統(tǒng)（PV-ES）市場近年來高速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為制勝關鍵；儲能應
  • 關鍵字： 英飛凌  麥田能源  功率半導體  儲能  

三菱電機投資氧化鎵功率半導體

  • 3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的氧化鎵（Ga2O3）進行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。三菱電機表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導體、材料和產(chǎn)品的回收利用、可再生能源等綠色領域的研發(fā)。據(jù)了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（N
  • 關鍵字： 功率半導體  氧化鎵  
共159條 1/11 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

功率半導體介紹

　　《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細 ]

熱門主題

功率半導體    樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473