安森美半導(dǎo)體推出自保護(hù)電子保險(xiǎn)絲用于侵入電流限制應(yīng)用

NIS5112集成SENSEFET™高端開(kāi)關(guān)，
以?xún)r(jià)廉的電阻芯片替代昂貴的低阻抗分流電路進(jìn)行電流檢測(cè)

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）推出SMART HotPlug™系列的新成員NIS5112——集成自保護(hù)、可復(fù)位之電子保險(xiǎn)絲，采用內(nèi)置電荷泵驅(qū)動(dòng)高端N-通道FET。為用于12伏(V)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，NIS5112為熱插拔應(yīng)用如企業(yè)級(jí)硬盤(pán)提供一個(gè)高性?xún)r(jià)比的侵入電流限制解決方案。

安森美半導(dǎo)體Smart HotPlug™產(chǎn)品市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Barry Brinkman說(shuō)：“采用NIS5112，設(shè)計(jì)人員只需幾個(gè)低成本元件便可得到可靠的分流電路流限制集成解決方案。在該器件推出前，設(shè)計(jì)人員需采用多達(dá)11個(gè)不同元件的分立元件解決方案。”

NIS5112設(shè)計(jì)可以在12 V背板上安全插拔設(shè)備，它采用內(nèi)置SENSEFETTM以?xún)r(jià)廉電阻芯片，替代較昂貴的低阻抗分流電路實(shí)現(xiàn)有源限流功能。與可調(diào)電壓轉(zhuǎn)換率耦合，NIS5112使設(shè)計(jì)人員可輕易地選擇在多種應(yīng)用中限流水平和輸出電壓的提升速率。NIS5112的輸入電壓范圍為9 V到  18 V，且提供過(guò)壓保護(hù)，能在瞬流中運(yùn)行，保護(hù)負(fù)載。此器件也包含控制導(dǎo)通電壓、輸出電流、裸片溫度、導(dǎo)通di/dt和導(dǎo)通dV/dt，及啟動(dòng)/定時(shí)器功能的電路。它提供兩種限熱版本的穩(wěn)健熱保護(hù)電路，即自動(dòng)重試和鎖存關(guān)閉。

特性
•    集成功率器件
•    熱限制保護(hù) 
•    無(wú)須外部分流電路
•    內(nèi)置電荷泵
•    9 V到18 V輸入范圍
•    典型值為30 mΩ

應(yīng)用
•    硬盤(pán)
•    計(jì)算

封裝和價(jià)格
NIS5112D1R2G(鎖存)和NIS5112D2R2G(重試)采用無(wú)鉛SO-8封裝，每2,500件的批量單價(jià)為$1.15美元?，F(xiàn)提供樣品。更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.onsemi.com/tech 或聯(lián)系Barry Brinkman (電郵地址barry.brinkman@onsemi.com)。