力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺塑　臺廠勿再死守DRAM

　　力晶亟欲與標(biāo)準(zhǔn)型DRAM劃清界限的同時，也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏，董事長黃崇仁表示，不要再說臺灣沒有內(nèi)存自有技術(shù)了，力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺灣唯一自產(chǎn)自銷，同時也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)技轉(zhuǎn)給南亞科和華亞科，臺廠不要再死守DRAM產(chǎn)業(yè)，才有一起得救的機會;再者，他也暗示面板業(yè)資金借貸遠比DRAM產(chǎn)業(yè)包袱大，是政府和市場要重視之處。

　　力晶的NAND Flash技術(shù)師承日商瑞薩(Renesas)，早期幫是做代工，后來瑞薩退出后就將技術(shù)賣給力晶，力晶接手后自己銜接技術(shù)研發(fā)，目前已量產(chǎn)40奈米制程，年底導(dǎo)入30奈米制程，且2012年還要轉(zhuǎn)進28奈米制程。黃崇仁相當(dāng)自豪表示，雖然很多臺廠都說要做NAND Flash，包括很多NOR Flash廠也說要跨足NAND Flash技術(shù)，但力晶是臺灣第1家擁有NAND Flash自有技術(shù)和產(chǎn)品的公司，以后不要再說臺灣內(nèi)存完全沒有自有技術(shù)了!

　　黃崇仁分析，同樣一片晶圓，做NAND Flash比做標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價格高出許多，NAND Flash產(chǎn)業(yè)受惠智能型手機、平板計算機、固態(tài)硬盤(SSD)、輕薄型筆記本電腦Ultrabook等行動裝置應(yīng)用，NAND Flash產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值也快追上標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值，NAND Flash產(chǎn)業(yè)絕對是大勢所趨。

　　黃崇仁進一步分析，國際大廠通常不愿意把NAND Flash技術(shù)授權(quán)給臺廠，因為以臺廠的生產(chǎn)功力和產(chǎn)能規(guī)模，NAND Flash價格很快會被打爛，國際大廠刻意維持這種平衡的策略，目的也是保持自己的高利潤，而低毛利的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品就留給臺廠生產(chǎn)。

　　因此，黃崇仁積極呼吁，美光應(yīng)該趕快把NAND Flash技術(shù)授權(quán)給南亞科和華亞科，這2家臺廠不應(yīng)該再把這么多產(chǎn)能都死守在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM上，這樣不但不利于全球DRAM產(chǎn)業(yè)的供需平衡，同時也不利于自己，臺塑集團與其花這么多錢去升級標(biāo)準(zhǔn)型DRAM制程，這如拿去投NAND Flash技術(shù)。

　　對于臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)未來會如何發(fā)展?是否還有整并機會?黃崇仁表示，就如上述所言，不是沒機會，是要趕快轉(zhuǎn)型，不能死守標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，力晶已經(jīng)在朝此方向前進，再者，外界都把焦點放在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)的財務(wù)壓力，其實面板產(chǎn)業(yè)借貸資金壓力更大，外界和政府應(yīng)該多多專注。

　　他也分析，過去DRAM產(chǎn)業(yè)生存的不二法門是制程微縮，過去是1、2年轉(zhuǎn)進1個世代，但現(xiàn)在因為DRAM廠要籌資蓋廠、擴產(chǎn)相當(dāng)困難，因此在制程微縮上下足功夫，幾乎是1年前進2個世代，導(dǎo)致雖然很多DRAM廠都不生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM了，但全球DRAM產(chǎn)能仍是過剩，全是制程微縮惹的禍!

　　像是掌握全球60%市占率的韓系大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，三星也將標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能降至30%，海力士也一樣，但全球DRAM供需仍是嚴(yán)重供過于求，價格持續(xù)下滑。

　　以力晶為例，年初的制程是65奈米制程，年中進展到40奈米制程，2012年初會再轉(zhuǎn)進30奈米制程，這樣的制程微縮是非常可怕的，力晶和爾必達(Elpida)陣營的優(yōu)勢是40奈米轉(zhuǎn)進30奈米不會再投資錢，但其他廠不一樣，每一次制程轉(zhuǎn)換都是百億的投資金額。

　　黃崇仁指出，除了供給端因為制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能大增外，PC產(chǎn)業(yè)也面臨內(nèi)存搭載率提升不上來，像是平板計算機等對于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM需求減少，都是產(chǎn)業(yè)積弱不振主因，既有臺系DRAM廠的解決之道光是轉(zhuǎn)進Mobile RAM和服務(wù)器DRAM是不夠的，要像力晶一樣轉(zhuǎn)進NAND Flash才是可行之道。