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3D IC助攻移動處理器效能再上層樓

—— 晶圓代工廠技術(shù)掌握度高
作者: 時間:2011-11-27 來源:光明網(wǎng) 收藏

  移動裝置市場火熱發(fā)展,刺激 IC快速起飛。尤其在移動裝置增添裸視、擴增實境等功能,以及照相機像素與高畫質(zhì)影像分辨率規(guī)格不斷提升下,目前1.5GHz處理速度的處理器已面臨瓶頸,促使芯片業(yè)者采取堆棧技術(shù)整合DDR3內(nèi)存,以進一步提高效能。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/126362.htm

  近期智能型手機又更有進一步的新發(fā)展,如美國CTIA無線通訊科技展中,臺灣宏達電新機HTC EVO 3D正式問世。該智能型手機為宏達電首款采用高通(Qualcomm)1.2GHz處理器,并具備裸視三維(3D)影像的Android 2.3操作系統(tǒng)手機,配備500萬像素3D雙鏡頭,以及130萬像素前視頻鏡頭,支持720p高畫質(zhì)3D和2D影片錄制。

  無獨有偶,韓系手機大廠樂金(LG)與三星(Samsung)也陸續(xù)發(fā)表支持裸視3D的智能型手機。樂金Optimus 3D不僅讓使用者可拍攝3D影片并以裸視方式觀賞,還提供的完整3D體驗,涵蓋3D錄像、3D影像觀賞與內(nèi)容分享。三星W960則配備主動矩陣式有機發(fā)光二極管(AMOLED)3D顯示器,分辨率可達240×400像素,并內(nèi)建2D、3D轉(zhuǎn)換模式。

  除了裸視3D外,擴增實境(AR)亦為下一波手機內(nèi)建的創(chuàng)新功能;隨著智能型手機等移動裝置納入越來越多的功能,同時既有功能規(guī)格也不斷提升,處理器的處理速度亦須不斷精進,才能符合市場的需求。

  有鑒于移動裝置內(nèi)建的功能不斷增加,應用處理器(AP)的效能亦須不斷提高,移動裝置處理器大廠包括高通、德州儀器(TI)、意法愛立信(ST-Ericsson)等已開始關(guān)注三維芯片(3D IC)技術(shù),以期透過3D IC架構(gòu)在處理器上增加更多內(nèi)存容量,進一步提升處理器效能。而處理器業(yè)者的關(guān)注,也讓3D IC的發(fā)展道路更加清晰。

  臺灣工業(yè)技術(shù)研究院信息與通訊研究所設(shè)計自動化技術(shù)組組長蒯定明表示,提高處理器效能的最主要的方式即增加內(nèi)存深度,因此現(xiàn)階段業(yè)者多以系統(tǒng)封裝(SiP)的方式將處理器與閃存(Flash Memory)整合,不過,這種設(shè)計方式,處理器速度最多僅能達到1.5GHz,若要進一步突破處理器效能,則須改以堆棧動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)的設(shè)計方式,因此處理器廠商已開始朝此方向邁進。

  雖然用SiP技術(shù)亦可達成處理器堆棧DRAM的設(shè)計,但其效果將不若采3D IC架構(gòu)的方案。蒯定明解釋,SiP是將要整合的芯片封裝后,再從封裝后的芯片旁邊打線連接到外部,此一方式的連接效能會受到連外打線延遲影響;若采用3D IC架構(gòu),芯片間的聯(lián)系,與對外聯(lián)絡(luò)都可以直接透過芯片上的打線,可順利解決SiP的問題。由于3D IC具備的優(yōu)勢較SiP佳,因此處理器廠商已開始重視3D IC技術(shù),并積極投入研發(fā),對3D IC的發(fā)展而言將是很大的助力。

  另一方面,主導DRAM的標準協(xié)會JEDEC提出的Wide I/O新規(guī)范中,開宗明義表示該規(guī)范除了在DRAM上采用五百一十二根I/O接腳外,并強調(diào)支持3D IC架構(gòu)。臺灣工業(yè)技術(shù)研究院信息與通訊研究所設(shè)計自動化技術(shù)組技術(shù)組長周永發(fā)指出,如此一來,移動裝置處理器廠商若要導入DRAM以提高處理器整體效能,未來將不得不采用3D IC技術(shù),這也是讓處理廠商開始重視3D IC的主要因素。

  蒯定明補充,JEDEC所提的新規(guī)范目前仍為草案階段,預計2012年底定,預期未來DDR4也可能采用。

  嚴格來說,目前僅內(nèi)存已正式導入3D IC技術(shù),相關(guān)業(yè)者如三星、爾必達(Elpida)均積極研發(fā)3D IC技術(shù),但伴隨移動裝置對于處理器效能與尺寸的要求越來越嚴苛,目前包括高通、意法愛立信、德州儀器和輝達(NVIDIA)皆已積極發(fā)展3D IC架構(gòu),甚至聯(lián)發(fā)科也相當關(guān)心3D IC技術(shù)的進展。蒯定明認為,在處理器業(yè)者的努力下,即使未來3D IC不會成為各種芯片產(chǎn)品必然采用的技術(shù),但對其整體的發(fā)展仍將有相當大的推動力。

  受到移動裝置在外型尺寸上的持續(xù)輕薄化,以及更多元功能的發(fā)展,處理器廠商已開始進行更高整合度產(chǎn)品的研發(fā),而提高處理器效能其中一種方法即為半導體先進制程技術(shù)。安謀國際(ARM)策略營銷處長Ron Mooire表示,雖然系統(tǒng)單芯片(SoC)在每個制程世代的演進中皆可持續(xù)縮小15%的芯片尺寸,但在低功耗與高速處理速度上將面臨極大的技術(shù)門坎,因此許多廠商開始關(guān)注3D IC架構(gòu)的研發(fā),如臺積電、三星與全球晶圓(GlobalFoundries)等。

  3D IC可異質(zhì)整合更多種類的芯片,因此移動裝置業(yè)者冀望透過處理器整合更多的DRAM,來提升效能。Mooire指出,由于摩爾定律已走到瓶頸,再加上SiP技術(shù)封裝組件的效能有限,因此移動裝置主處理器業(yè)者在多方考慮下,即便未來仍將持續(xù)走到14納米制程,但3D IC將是其產(chǎn)品下一階段另一重要發(fā)展技術(shù)。

  據(jù)了解,目前高通與德州儀器仍是采用SiP技術(shù)封裝處理器與內(nèi)存,預期未來將采用3D IC架構(gòu)。

  安謀國際身為硅智財(IP)龍頭業(yè)者,亦積極協(xié)助處理器廠商不斷透過SoC或3D IC等技術(shù)提升效能。Mooire認為,雖然安謀國際僅為IP廠商,看似與實際的芯片產(chǎn)品無直接關(guān)系,但安謀國際在IP核心架構(gòu)中結(jié)合處理器、繪圖處理器(GPU)與內(nèi)存的子系統(tǒng)(Sub-system),已就3D IC技術(shù)所需進行微調(diào),并與晶圓廠維持密切的合作,進行3D IC的測試,因此安謀國際的合作伙伴中,第一級(Tier One)處理器業(yè)者已計劃采用3D IC的架構(gòu)。

  Mooire并強調(diào),未來無論是手機或平板裝置(Tablet Device)等移動裝置,甚至個人計算機(PC)都會日趨輕薄,因此3D IC將更有機會被采納。


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