力旺加速布局65/55nm制程 攻高階CE市場

　　力旺電子(eMemory)日前宣布，其單次可程序(one time programmable, OTP)內(nèi)存技術已于一線晶圓代工廠65納米制程平臺通過可靠度驗證，進入量產(chǎn)階段;另外，多次可程序(multiple times programmable, MTP)內(nèi)存技術則同步于65納米制程平臺進行驗證中，將可應用于對嵌入式儲存組件規(guī)格要求日益嚴苛之高階多媒體與數(shù)字消費性電子產(chǎn)品，如智能手機、平板計算機與數(shù)字電視機上盒等。

　　力旺表示，其單次可程序產(chǎn)品 NeoBit 與多次可程序的 NeoFlash, NeoEE 等，均正朝更先進制程轉(zhuǎn)移。該公司的65納米 NeoBit OTP 日前已通過可靠度驗證，即將進入量產(chǎn)，而針對下一世代55納米與更先進制程平臺，力旺電子亦全力積極布局，目前已與數(shù)家國際級晶圓代工廠合作開發(fā)中，預計55納米高電壓制程之NeoBit將可于2012年Q2通過驗證，進入試產(chǎn)階段。

　　根據(jù)iSupply報告顯示，預估2010~2015年間，智能手機和多媒體平板計算機出貨量，將分別以28.5%和72.1%的年復合成長率攀升，看好未來高階多媒體與數(shù)字消費性電子發(fā)展?jié)摿?，力旺表示，該公司每年持續(xù)投入超過30%之營業(yè)費用于研發(fā)創(chuàng)新技術，發(fā)展先進嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財，先前80納米高壓制程之NeoBit OTP已進入量產(chǎn)，并對權(quán)利金收益有所挹注。

　　力旺電子嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存之主要功能為儲存參數(shù)設定與身分識別密碼，以近期熱門之數(shù)字電視機上盒與NFC相關應用為例，力旺電子之嵌入式EEPROM NeoEE即可作為協(xié)助儲存密碼、金額或身分識別數(shù)據(jù)使用，目前前項提及之相關產(chǎn)品以65納米與40納米制程為主力，而力旺電子相關技術亦同步開發(fā)中。近期65納米之NeoEE進行驗證測試獲得98%以上之優(yōu)異良率，預期2012年起即可對營收產(chǎn)生正面貢獻。

　　力旺電子的嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術包含單次可程序OTP NeoBit與多次可程序MTP NeoFlash、NeoEE等硅智財，由于架構(gòu)簡單，與邏輯制程完全兼容，不論建構(gòu)于現(xiàn)有制程，或嵌入使用于客戶端之產(chǎn)品，均可在不修改制程的前提下，直接進行設計。

　　目前力旺電子嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術已廣泛建置于0.5微米至0.11微米等各類型邏輯與衍生制程，加上近期于晶圓代工廠之先進制程布局，將可提供尖端設計客戶具備完善質(zhì)量與高可靠度之全方位嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案。目前力旺電子擁有超過250件專利，全球Fabless客戶數(shù)已突破310家，累計至2011年12月，內(nèi)嵌力旺電子硅智財之量產(chǎn)八吋晶圓片數(shù)已超過340萬片。