安森美半導體推出低靜態(tài)電流4通道及6通道開關

　　應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出兩款采用單刀雙擲(SPDT)開關配置的新多通道差分開關集成電路(IC)，應用于PCI Express 3.0及DisplayPort 1.2輸入/輸出(I/O)信號等高頻信號，目標應用包括筆記本、臺式計算機、服務器及網(wǎng)絡存儲設備。

　　6通道差分SPDT開關NCN3612B由于它的高帶寬，支持8 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。它的導通電容(CON)為2.1 pF(典型值)，導通電阻(RDSON)為8 ?(典型值)。與這器件相輔相成的是同樣能支持8 Gbps工作的4通道差分開關NCN3411。NCN3411的導通電容為2 pF(典型值)，導通電阻(RDSON)為7.5 ?(典型值)。這些特性使這兩款新器件非常適合用于PCI Express 3.0及DispalyPort 1.2 I/O信號路由。

　　安森美半導體接口及電源產(chǎn)品總監(jiān)高天寶(Thibault Kassir)說：“NCN3612B和NCN3411固有低導通電容及低導通電阻，令其能提供更低的數(shù)據(jù)邊緣速率及更低的插入損耗。因此，這些器件能配合當今系統(tǒng)設計指定的最新高速接口標準提供所需的信號完整性水平。”

　　NCN3612B的電源電壓范圍為3伏(V)至3.6 V，消耗的供電電流僅為250微安(µA)(典型值);而NCN3411的電源電壓范圍為1.5 V至2.0 V，消耗的供電電流為200 µA。這些新器件的環(huán)境工作溫度范圍為−40 °C至+85 °C