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科銳推出S波段GaN器件

—— 全新60W GaN HEMT Psat 晶體管幫助降低軍用和民用雷達系統(tǒng)
作者: 時間:2012-07-09 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達中的高效GaN 。新型 S 波段GaN 的額定功率為60W,頻率為 3.1至3.5GHz 之間,與傳統(tǒng)Si或 GaAs MESFET 器件相比,能夠提供優(yōu)越的漏極效率(接近70%)。同時,高效率和高功率密度的結(jié)合有助于最大限度地降低散熱的要求,并減少在商用雷達系統(tǒng)應(yīng)用中的尺寸與重量。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/134405.htm

  無線射頻(RF)及微波部門總監(jiān) Jim Milligan表示:“新型 S 波段 GaN 器件的推出豐富了高效 S 波段GaN與單片式微波集成電路(MMIC)產(chǎn)品系列,從而為客戶在商用雷達系統(tǒng)高功率放大電路的應(yīng)用中提供更多的選擇。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率,在具有優(yōu)異信號保真度的同時擴展脈沖能力,并最大限度地降低散熱管理需求,從而能夠幫助無線射頻設(shè)計工程師大幅度地降低雷達系統(tǒng)的尺寸和重量,同時擴大應(yīng)用范圍并降低安裝成本。”

  科銳 CGH35060 GaN HEMT 晶體管28V 工作電壓下的額定脈沖功率為 60W(當脈寬為100微秒時),功率增益為12dB,漏極效率為 65%,與傳統(tǒng)硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已經(jīng)在高功率放大器參考設(shè)計(S 波段頻率在3.1至3.5GHz 之間)中得到驗證。與 GaAs和Si技術(shù)相比,CGH35060 還具有長脈沖、高功率性能(低于0.6dB)、優(yōu)異的信號保真度以及非常低的功率衰減等特性。

  新型GaN HEMT 晶體管與科銳 S 波段全套產(chǎn)品系列相匹配,包括CGH31240F/CGH35240F全面匹配240W GaN HEMT 器件(2.7 – 2.9GHz / 3.1 – 3.5GHz)以及CMPA2735075F兩級封裝GaN HEMT 單片式微波集成電路(MMIC)。



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