大容量存儲(chǔ)器集成電路的測(cè)試

摘要：介紹了有關(guān)大容量存儲(chǔ)器集成電路測(cè)試系統(tǒng)的軟件原理和硬件構(gòu)成，對(duì)大容量存儲(chǔ)器集成電路的測(cè)試方法作了初步探討，希望對(duì)實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室精確測(cè)試和生產(chǎn)中大批量芯片中測(cè)和成品測(cè)試有所幫助。

關(guān)鍵詞：測(cè)試系統(tǒng)： 存儲(chǔ)器集成電路： 塊； 頁(yè)

中圖分類(lèi)號(hào)：TN407 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1004-4507(2005)05-0049-04

目前國(guó)內(nèi)電腦內(nèi)存條及配套產(chǎn)品、語(yǔ)言復(fù)讀機(jī)、DVD機(jī)以及數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼錄音、MP3等方面，對(duì)存儲(chǔ)器電路需求量超過(guò)8000萬(wàn)只，隨著各類(lèi)電子產(chǎn)品的數(shù)碼化和大容量化，對(duì)存儲(chǔ)器電路的需求還將大幅增長(zhǎng)，對(duì)存儲(chǔ)器集成電路測(cè)試系統(tǒng)的需求也就越來(lái)越迫切。 大容量存儲(chǔ)器集成電路的測(cè)試系統(tǒng)是科技型中小企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新基金項(xiàng)目，是根據(jù)大容量存儲(chǔ)器集成電路SDRAM、DDR SDRAM和：flash RAM的發(fā)展趨勢(shì)而研究開(kāi)發(fā)的測(cè)試系統(tǒng)。方案的主要內(nèi)容為測(cè)試方法和測(cè)試程序研究開(kāi)發(fā)，其次是測(cè)試板、適配器及生產(chǎn)性測(cè)試設(shè)備的研制和設(shè)備結(jié)構(gòu)制作和調(diào)試等。特點(diǎn)是基于大容量存儲(chǔ)器集成電路的結(jié)構(gòu)，采用全新的測(cè)試技術(shù)理論和較通用的測(cè)試設(shè)備，實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室精確測(cè)試和生產(chǎn)中大批量芯片中測(cè)及成品測(cè)試。目前對(duì)高兆位存儲(chǔ)器電路能大批量測(cè)試的設(shè)備非常昂貴，低價(jià)的專(zhuān)用存儲(chǔ)器電路測(cè)試儀又不能滿(mǎn)足測(cè)試的可靠性和通用性要求，因此該項(xiàng)目將大大提高國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器電路的生產(chǎn)能力，降低產(chǎn)品成本，提高存儲(chǔ)器電路的可利用率，有顯著的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。

1 測(cè)試系統(tǒng)的基本原理

根據(jù)大容量存儲(chǔ)器電路的技術(shù)特點(diǎn)，不論EEPROM、DRAM、SDRAM、FLASRAM等，都有快速塊(BANK)、頁(yè)(PAGE)、單個(gè)單元和連續(xù)多個(gè)單元這4種不同的讀和寫(xiě)方式。本系統(tǒng)充分利用不同的讀和寫(xiě)方式進(jìn)行測(cè)試，首先以頁(yè)面方式測(cè)試存儲(chǔ)單元讀和寫(xiě)的正確性，再以塊方式測(cè)試連續(xù)寫(xiě)入固定數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，然后連續(xù)多個(gè)單元方式寫(xiě)入變化數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，最后測(cè)試在單個(gè)單元寫(xiě)連續(xù)循環(huán)變化下數(shù)據(jù)的可靠性，按這樣順序運(yùn)行4種不同的測(cè)試模塊，能非常準(zhǔn)確地對(duì)存儲(chǔ)器電路的各種狀態(tài)進(jìn)行分析測(cè)試，對(duì)大容量存儲(chǔ)器電路SDRAM和flash RAM的測(cè)試項(xiàng)目以及存儲(chǔ)單元的可測(cè)試度為100％，系統(tǒng)定時(shí)精度