首個(gè)DDR4 IP設(shè)計(jì)解決方案在28納米級芯片上獲驗(yàn)證

 　　全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲(chǔ)控制器Design IP的首批產(chǎn)品在TSMC的28HPM和28HP技術(shù)工藝上通過硅驗(yàn)證。

　　為了擴(kuò)大在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)接口IP技術(shù)上的領(lǐng)先地位，Cadence在DDR4標(biāo)準(zhǔn)高級草案的基礎(chǔ)上，承擔(dān)并定制了多款28納米級晶片DDR PHY 和控制器的IP。DDR4標(biāo)準(zhǔn)建議稿預(yù)計(jì)在今年年底由固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)發(fā)布，與DDR3相比，新標(biāo)準(zhǔn)將為用戶帶來大幅度的性能提升。采用DDR4標(biāo)準(zhǔn)的DRAM設(shè)備的工作頻率有望提高50%，而存儲(chǔ)容量相對DDR3設(shè)備翻一番，DRAM傳輸一個(gè)字節(jié)的功耗降幅高達(dá)40%。

　　Objective Analysis公司分析師Jim Handy指出：“DDR4將是DRAM領(lǐng)域的下一個(gè)熱門，但它的信令處理很棘手。由于個(gè)人電腦對DDR4 DRAM的采用，這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)將成為大容量存儲(chǔ)的領(lǐng)導(dǎo)者，使它具有不可忽視的價(jià)格優(yōu)勢。ASIC設(shè)計(jì)人員如果要利用這個(gè)價(jià)格優(yōu)勢，就需要更多的幫助，把可靠的接口用于他們的產(chǎn)品。”

　　Cadence硅驗(yàn)證PHY系列包括超越DDR-2400草案規(guī)定的數(shù)據(jù)速率，滿足下一代電子運(yùn)算、網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算構(gòu)架以及家庭娛樂設(shè)備所需要的DDR4 PHY 的高速應(yīng)用，同時(shí)與現(xiàn)行DDR3和DDR3L標(biāo)準(zhǔn)兼容。經(jīng)過TSMC 28HPM硅驗(yàn)證的PHY，是一款低功耗全數(shù)字移動(dòng)PHY，其性能超過了DDR-1600和DDR-1866標(biāo)準(zhǔn)所要求的最大數(shù)據(jù)速率，也超過了低功耗LPDDR2標(biāo)準(zhǔn)的最大數(shù)據(jù)速率。該技術(shù)使得系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計(jì)人員在下一代移動(dòng)設(shè)計(jì)中部署高速低功耗存儲(chǔ)技術(shù)時(shí)充滿信心。

　　Cadence SoC實(shí)現(xiàn)部門產(chǎn)品營銷總監(jiān)Marc Greenberg表示：“我們非常興奮，成為第一個(gè)提供硅驗(yàn)證DDR4存儲(chǔ)控制器和PHY IP的公司，這將使我們的用戶在他們的下一代SoC中降低風(fēng)險(xiǎn)，并超越性能和功耗的需求。我們領(lǐng)先的Design IP方案廣泛的產(chǎn)品組合提供了先進(jìn)的功能和獨(dú)特的定制方法，使我們的用戶在縮短開發(fā)周期的同時(shí)，可以提供高度差異化的產(chǎn)品。”