Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK  SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴(kuò)充其TrenchFET  Gen III系列P溝道功率MOSFET。兩款MOSFET具有小占位的特點(diǎn)，在4.5V下具有相應(yīng)外形尺寸產(chǎn)品中最低的導(dǎo)通電阻?！　?/p>本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/137485.htm

　　12V SiA447DJ采用超小尺寸的PowerPAK SC-70封裝，在4.5V下的導(dǎo)通電阻為13.5m?，比最接近的同檔器件低12%，在2.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻為19.4m?、35m?和71m?。30V Si5429DU是首款采用3mm x 1.8mm尺寸規(guī)格的Gen III P通道MOSFET，在4.5V下的導(dǎo)通電阻為22m?，比最接近的競(jìng)爭(zhēng)器件低35%，在10V下具有業(yè)內(nèi)較低的15m?導(dǎo)通電阻。

　　SiA447DJ和Si5429DU可以在智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中用做電池管理或負(fù)載開關(guān)。MOSFET的小尺寸封裝可在這些產(chǎn)品中節(jié)約PCB空間，其低導(dǎo)通電阻能夠減少導(dǎo)通損耗，進(jìn)而減少功耗并延長(zhǎng)兩次充電間的電池壽命。MOSFET的低導(dǎo)通電阻還意味著負(fù)載開關(guān)上的電壓降更低，可防止有害的欠壓鎖定現(xiàn)象。

　　Si5429DU的電壓等級(jí)達(dá)到30V，可用于采用多芯鋰離子電池的終端產(chǎn)品，SiA447DJ可用在尺寸和更低導(dǎo)通電阻是關(guān)鍵考慮因素的場(chǎng)合。另外，SiA447DJ能夠在1.5V下導(dǎo)通，可與手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動(dòng)和更低的總線電壓配合工作，節(jié)省電平轉(zhuǎn)換電路的空間和尺寸。

　　SiA447DJ和Si5429DU進(jìn)行了100%的Rg測(cè)試，符合RoHS，無鹵素。