英飛凌成功推出推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管

 　　2012年10月10日，德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管，壯大其SiC(碳化硅)產(chǎn)品陣容。

　　英飛凌榮獲專利的擴(kuò)散焊接工藝早已應(yīng)用于第三代產(chǎn)品，如今又成功地與更緊湊的全新設(shè)計(jì)和最新的薄晶圓技術(shù)有機(jī)結(jié)合在一起，改進(jìn)了熱特性，并使一個優(yōu)值系數(shù)(Qc x Vf)與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。其結(jié)果是，新一代產(chǎn)品相對于英飛凌以往各代thinQ!TM 產(chǎn)品， PFC升壓級在所有負(fù)載條件下的效率都得到了進(jìn)一步的提升。英飛凌第五代產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是高端服務(wù)器和電信SMPS(開關(guān)模式電源)、PC銀盒和照明應(yīng)用、太陽能逆變器和UPS(不間斷電源)系統(tǒng)等。通過利用新一代器件，這些應(yīng)用不但可以提高能效，而且還可以降低EMI(電磁干擾)，提高系統(tǒng)可靠性，以及縮減成本/尺寸——因制冷要求降低。

　　“自2001年首度推出SiC肖特基二極管以來，英飛凌大幅改進(jìn)了其產(chǎn)品，并不斷壯大其產(chǎn)品陣容。SiC二極管是與眾不同的產(chǎn)品，能引領(lǐng)綠色能源未來。”英飛凌科技股份公司高壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品部負(fù)責(zé)人Jan-Willem Reynaerts指出，“第五代SiC二極管相對于以往推出的各代產(chǎn)品，可進(jìn)一步改進(jìn)系統(tǒng)能效和功率密度，同時具有極具吸引力的性價比。”

　　第三代產(chǎn)品的低容性電荷(Qc)值與第二代產(chǎn)品的正向電壓(Vf)水平相結(jié)合，使第五代產(chǎn)品的PFC電路達(dá)到最高效率水平。這種新一代器件具備更高的擊穿電壓：650V(第二代和第三代為600V)，完美匹配最新的CoolMOSTM技術(shù)。對于太陽能逆變器等應(yīng)用以及具有挑戰(zhàn)性的SMPS環(huán)境而言，這種特性可實(shí)現(xiàn)更高的安全裕度。此外，第五代產(chǎn)品還具備高浪涌電流耐受性和更豐富的型號——包括具備更高額定電流和采用全新封裝(如TO-247 和ThinPAK)的產(chǎn)品。