華潤(rùn)上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

　　華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤(rùn)上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí)，達(dá)到更高的性價(jià)比，這在國(guó)內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤(rùn)上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據(jù)市場(chǎng)需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。華潤(rùn)上華的這項(xiàng)技術(shù)填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)技術(shù)空白，并已成功打入國(guó)際市場(chǎng)，為三星、長(zhǎng)虹等國(guó)內(nèi)外著名PDP電視廠家提供芯片。

　　200V SOI CDMOS第一代工藝技術(shù)依托華潤(rùn)上華現(xiàn)有的低壓CMOS工藝平臺(tái)，結(jié)合深槽刻蝕技術(shù)及SOI介質(zhì)隔離技術(shù)，開發(fā)了200V NLDMOS 以及200V PLDMOS 以及200V 高壓特種器件NLIGBT，實(shí)現(xiàn)了芯片高電壓大電流驅(qū)動(dòng)能力。該工藝所采用的深槽刻蝕、填充方法與傳統(tǒng)的CMOS工藝生產(chǎn)線基本兼容，開發(fā)成本低，不需要增加專用的深槽填充與平坦化設(shè)備，能較好地實(shí)現(xiàn)器件之間的隔離，是實(shí)現(xiàn)高壓器件工藝與普通低壓CMOS工藝相兼容的關(guān)鍵技術(shù)之一。二代工藝與一代工藝一樣，集成了多種MOS器件，包括：低壓5V 標(biāo)準(zhǔn)CMOS、200V高壓NLDMOS、200V 高壓PLDMOS、200V 高壓IGBT及作為ESD保護(hù)器件200V 高壓二極管。與一代工藝相比，二代工藝采用0.5μm 后段并對(duì)關(guān)鍵器件做了優(yōu)化調(diào)整，達(dá)到了更高的性價(jià)比。在研發(fā)過(guò)程中，該技術(shù)已累計(jì)申請(qǐng)涉及SOI的器件、結(jié)構(gòu)、工藝、制造、測(cè)試驗(yàn)證等多個(gè)方面的發(fā)明專利105項(xiàng)。

　　華潤(rùn)上華的200V SOI CDMOS工藝可滿足國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)公司對(duì)高壓、高功率產(chǎn)品的開發(fā)需求，同時(shí)也可滿足客戶對(duì)高壓電源驅(qū)動(dòng)管理——LED和PDP驅(qū)動(dòng)及控制類芯片的巨大市場(chǎng)需求。采用的SOI圓片襯底材料由國(guó)內(nèi)硅片廠家提供，可有效降低成本，提高了產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。與Si基比，SOI制造的芯片具有顯著的節(jié)電效果，有利于大幅降低用電量。另外，SOI在高溫下性能非常穩(wěn)定，具有高可靠性。目前全球能提供基于SOI工藝的PDP驅(qū)動(dòng)芯片僅有4家，采用華潤(rùn)上華工藝的這款芯片在部分性能上已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

　　SOI的應(yīng)用非常廣泛，市場(chǎng)前景可觀。隨著微處理器(CPU)、游戲機(jī)芯片(GPU)制程對(duì)SOI 技術(shù)需求愈來(lái)愈強(qiáng)，SOI 已成為各大晶圓代工角逐核心客戶青睞的武器，其應(yīng)用市場(chǎng)已拓展到功率和靈巧器件以及MEMS 應(yīng)用，特別是在汽車電子、顯示、無(wú)線通訊等方面發(fā)展迅速。VLSI研究預(yù)測(cè)，SOI市場(chǎng)未來(lái)幾年將會(huì)以健康的速率持續(xù)成長(zhǎng)，預(yù)期SOI未來(lái)5年的年均復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)11%，到2012年 銷售額將達(dá)到11億美元。