840PRO拆解：高頻三核主控+MLC閃存

　　★840PRO拆解：高頻三核主控+MLC閃存

　　我們對(duì)三星840PRO 512GB SSD進(jìn)行拆解分析，和較早前測(cè)試的840系SSD采用的TLC閃存完全不同的是，840PRO采用的是使用壽命更長(zhǎng)、速度更快的MLC閃存。

　　相同的地方：普及版840系和840PRO采用同樣的主控/緩存芯片、PCB板。其內(nèi)部三大核心部件的改進(jìn)如下：

　　1、三核主控：頻率提高和算法改進(jìn)

　　2、MLC閃存：帶寬提高2倍以上

　　3、高速緩存：低電壓、容量翻倍

　　三星840PRO 512GB SSD拆解

         

　　三星840PRO 512GB SSD的PCB正反面特寫

　　在三星840PRO 512GB SSD的內(nèi)部PCB主板上，單面即可實(shí)現(xiàn)512GB容量，總計(jì)8顆64GB容量的三星原廠MLC閃存芯片和SATA I/O主控制芯片。并且配備一顆三星512MB DDR2低電壓緩存芯片。

　　三星S4LN021X01-8030 三核ARM主控芯片

　　主控方面采用三星研發(fā)生產(chǎn)的S4LN021X01-8030 MDX主控芯片，屬于ARM架構(gòu)的Cortex-R4系列三核處理器，具備更強(qiáng)悍的多任務(wù)、多路數(shù)據(jù)讀寫傳輸能力。主要提高在算法設(shè)計(jì)和CPU的頻率，和830系的220MHz MCX三核主控相比，840PRO MDX主控的頻率提高到300MHz。

　　三星840PRO 512GB SSD的閃存芯片特寫

　　閃存方面采用8顆21nm制造工藝的三星原廠的K9PHGY8U7A-CCK0 MLC閃存芯片，單顆芯片容量為64GB。其閃存采用先進(jìn)的Toggle 2.0 NAND Flash技術(shù)，它的帶寬提高到400Mbps，而上一代830系SSD則采用Toggle 1.1技術(shù)，閃存帶寬僅133Mbps。

　　三星840PRO 512GB SSD的緩存特寫

　　緩存方面，它的PCB板正面搭載有一顆容量高達(dá)512MB DDR2低電壓高速緩存芯片，為整個(gè)SSD的讀寫提供高速的數(shù)據(jù)緩沖。對(duì)比830系SSD僅256MB的緩存相比，840系SSD的緩存容量提高了一倍。

　　我們通過(guò)拆解三星840PRO 512GB SSD，了解到這款SSD從主控、閃存、緩存均由三星生產(chǎn)，并且三個(gè)核心部件的規(guī)格均有一定幅度提高。