全球三大廠HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增

AI應用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內存廠，積極投入高帶寬內存（HBM）產(chǎn)能擴充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。

HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。

HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。

美光2023年9月宣布推出HBM3E，2024年開始供應英偉達；三星的HBM3E，則由英偉達及AMD驗證之中，據(jù)業(yè)者了解，三星的HBM3E，預計第四季通過客驗，HBM正成為高效運算（HPC）軍備競賽核心。

在擴產(chǎn)計劃上，三星內部正將韓平澤廠區(qū)P1L／P2L／P3L，逐步升級為DDR5和HBM共享產(chǎn)線；華城廠區(qū)Line13／15／17，則正逐步升級到1α制程，僅保留小部份產(chǎn)能停留在1y／1z制程，以應對特殊工業(yè)及航天等領域需求。

SK海力士以韓利川市M16產(chǎn)線生產(chǎn)HBM，并著手將M14產(chǎn)線升級為1α／1β制程，以供應DDR5和HBM產(chǎn)品。此外，大陸無錫廠在取得美國政府解禁后，現(xiàn)正積極將制程由1y／1z升級到1z／1α，分別用于生產(chǎn)DDR4及DDR5產(chǎn)品。

美光HBM前段在日本廣島廠生產(chǎn)，產(chǎn)能預計今年第四季提升至25K；長期將引入EUV制程（1γ、1δ），并建置全新無塵室。

短期計劃則以中國臺灣林口與臺中廠產(chǎn)能因應，即增加1β制程比重，預計2025年底HBM總投片量約達6萬片。

至于美國制造，弗吉尼亞州Dominion Fab6可能擴建供應HBM前段。HBM后段制程方面，美光暫無明確計劃，推測2026年以前都放在臺灣。

全球三大廠的HBM投片量，將連二年保持高成長，2025年底全球總投片量約達每月54萬片。