450毫米晶圓2018年量產 極紫外光刻緊隨

　　全球最大的半導體制造設備供應商荷蘭ASML今天披露說，他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設備的原型，Intel、三星電子、臺積電等預計將在2018年實現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產，與此同時，極紫外(EUV)光刻設備也進展順利，將在今年交付兩套新的系統(tǒng)。

　　ASML在一份聲明中稱：“在客戶合作投資項目的支持下，我們已經完成了用于極紫外、沉浸式光刻的450毫米架構的概念設計，將在2015年交貨原型，并兼容2018年的量產，當然如果整個產業(yè)來得及的話。”

　　Intel在今年初展示了全球第一塊完整印刷的450毫米晶圓，跨過了里程碑式的一步，并隨后宣布將投資20億美元對俄勒岡州D1XFab工廠進行擴建，預計2015年可建成并安裝450毫米晶圓生產設備。

　　歷史上每次擴大晶圓尺寸都會將可用面積增加30-40%，芯片成本也有相應的降低，300毫米過渡到450毫米同樣如此，所以為了使用更先進的制造工藝和極紫外光刻技術，450毫米晶圓勢在必行，但隨著尺寸的增大，晶圓制造的難度也是指數(shù)級增長，因此450毫米晶圓提了很多年了，但至今仍然沒能投入實用。

　　(再次強調晶圓上那是右側人的投影不是缺一塊)

　　ASML的首批兩套NXE:3300B極紫外光刻系統(tǒng)將在今年第二、第三季度出貨并安裝，用于驗證極紫外光刻技術的可行性，為大規(guī)模制造做好準備。

　　ASMLNXE:3300B系統(tǒng)已經斬獲了11個訂單，還有7個也保證采納。該系統(tǒng)已經做到單次曝光13nm，并且有能力達到9nm，為半導體工藝進軍個位數(shù)納米時代打下了基礎。

　　NXE:3300B系統(tǒng)在半年前的源功率只有11W，每小時最多產出7塊晶圓，三個月前提高到40W，如今已經可以做到55W，每小時產出43塊晶圓，而最終目標是105W、69塊。

　　在此之前，Intel、臺積電、三星電子曾經分別向ASML投資多達41億美元、14億美元、9.7億美元，共同推進其加速研發(fā)450毫米晶圓和極紫外光刻技術，受到刺激的ASML隨后耗資25億美元收購了關鍵的光學技術提供商Cymer，加快極紫外光刻進展。