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AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品

—— DFN5*6封裝 極低導(dǎo)通內(nèi)阻,超強(qiáng)開關(guān)性能實(shí)現(xiàn)更高功率密度
作者: 時(shí)間:2013-05-10 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  萬國(guó)半導(dǎo)體()發(fā)布了旗下最新150V 器件: 。該器件作為 AlphaMOS™ (?MOS™)中壓系列旗艦產(chǎn)品,為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。適用于通信及工業(yè)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器原邊開關(guān)、AC/DC及DC/DC轉(zhuǎn)換器副邊同步整流,太陽能微逆變器,以及通信系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)模塊(POL)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/145196.htm

  采用先進(jìn)的AlphaMOS™技術(shù),實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通內(nèi)阻和高速開關(guān)性能。該產(chǎn)品與上一代產(chǎn)品相比,內(nèi)阻降低了57%;與市場(chǎng)上現(xiàn)有最先進(jìn)的同類型150V器件相比,內(nèi)阻降低了8% ,除此之外, AON6250的優(yōu)值(RDS(ON) * COSS)也是市場(chǎng)上最好的,從而可以有效降低開關(guān)損耗。因此無論是輕載條件還是重載條件,效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封裝,符合綠色環(huán)保產(chǎn)品相關(guān)規(guī)定,且電氣性能方面100%經(jīng)過柵極電阻測(cè)試以及UIS雪崩能力測(cè)試。繼AON6250之后,萬國(guó)半導(dǎo)體()將發(fā)布一系列150V 產(chǎn)品。.

  “終端客戶總是要求電源系統(tǒng)輸出更高功率并且占用更小的空間,這讓電源設(shè)計(jì)工程們面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)” , AOS高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理Stephen表示, “實(shí)現(xiàn)其功率密度,需要器件具有極低的導(dǎo)通內(nèi)阻以及良好的開關(guān)性能,AON6250正好可以滿足工程師的需求。.”  

 

  AON6250 技術(shù)優(yōu)勢(shì):

  150V N-channel in a DFN5x6 package
  RDS(ON) < 16.5 mOhms max at VGS = 10V (業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻)
  COSS = 213 pF typ
  Qg (10V) = 30.5 nC typ
  業(yè)內(nèi)最低 RDS(ON) * COSS (優(yōu)值, 可以有效降低開關(guān)損耗)
  100%經(jīng)過柵極電阻測(cè)試以及UIS雪崩能力測(cè)試



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