東芝開發(fā)全球首款多層單元結(jié)構(gòu)MROM單元

　　東京--(美國商業(yè)資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布開發(fā)全球首款掩膜式只讀存儲器(MROM)單元，以提供更好的單元電流特性，并且單元尺寸不會增加。這一進(jìn)展是通過采用多層單元結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)還可以保證高速運(yùn)轉(zhuǎn)。詳細(xì)信息將于6月14日在2013年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(Symposia on VLSI Technology and Circuits)期間公布，此次研討會將于2013年6月11日至14日在日本京都舉行。

　　MROM的主要作用是存儲引導(dǎo)裝載程序或固件。智能手機(jī)和平板電腦等數(shù)字應(yīng)用的SoC部署的MROM密度正逐年增加，為了縮短存取時間，有必要將每一代的MROM單元尺寸減半。

　　在典型的MROM位單元(單層單元)中，隨著SoC工藝技術(shù)的進(jìn)步，制造方面的變化不斷增多，并且單元晶體管的溝道面積不斷縮小。因此40納米一代的存取時間比先前一代工藝有所增加?？s短存取時間需要更大的晶體管，因?yàn)楦蟮膯卧娣e可以保證更大的溝道面積。

　　東芝已經(jīng)開發(fā)了一種使用面積達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)單層單元兩倍的多位單元，使單元晶體管中的溝道寬度成功擴(kuò)大了三倍。這也使得單元的電流特性提升了三倍，并且單位面積存儲容量未發(fā)生任何變化。它使得制造變化的影響降低了42%。

　　東芝已經(jīng)使用40納米一代工藝開發(fā)了MROM單元，并計劃于2014年為部署該單元的數(shù)字應(yīng)用交付SoC。