Alchimer與IMEC在22nm以下先進(jìn)制程進(jìn)行合作

　　雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機(jī)電(MEMS)與太陽能等領(lǐng)域濕沉積技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Alchimer，宣布與歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC攜手進(jìn)行一項(xiàng)合作研發(fā)計(jì)劃，為先進(jìn)的奈米互連技術(shù)評估和實(shí)施銅(Cu) 填充解決方案。該計(jì)劃的重點(diǎn)將是 Alchimer 的 Electrografting (eG) 產(chǎn)品系列，其已證明可在 7nm 節(jié)點(diǎn)裝置上實(shí)現(xiàn)無空隙填充，并允許在阻擋層上直接進(jìn)行銅填充，且鑲嵌制程無需晶種層。由于 CMOS規(guī)模增加，使制程更加精細(xì)，因此市場要求銅鑲嵌要有更小的尺寸 (<16/14 nm)，采用薄阻擋層，以及薄銅晶種層，或無銅晶種層。填充制程必須沒有任何缺陷/空隙，以滿足可靠性規(guī)范，并實(shí)現(xiàn)高良率。傳統(tǒng)的物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)制程不能達(dá)到這些要求。Alchimer的濕沉積技術(shù)建立在分子構(gòu)建制程的基礎(chǔ)之上，突破了干沉積制程的局限性。

　　Alchimer 的執(zhí)行長 Bruno Morel 表示：「我們相信，隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展到更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，效能和成本將推動(dòng)技術(shù)的采用。eG 在先進(jìn)鑲嵌應(yīng)用領(lǐng)域的效能，包括 20nm 以下的單、雙鑲嵌，已經(jīng)在效能及持有成本兩方面均展現(xiàn)出廣闊前景。與 IMEC合作讓我們能夠獲得巨大資源，藉此驗(yàn)證我們在12寸晶圓制程的技術(shù)適宜性，并瞭解如何為 18寸晶圓制程做好準(zhǔn)備?！?/p>

　　該合作研發(fā)計(jì)劃(JDP) 的目標(biāo)是要獲得在 22nm 以下技術(shù)的12寸晶圓制程環(huán)境中，eG 濕沉積制程的可靠性資料及電氣效能。作為此項(xiàng) JDP 的一部分，兩間公司將對電鍍化學(xué)法實(shí)施評估，并努力確定 12寸晶圓級先進(jìn)鑲嵌電鍍應(yīng)用的最佳制程條件。

　　eG 填充允許在阻擋層上進(jìn)行直接銅填充，而不再需要晶種層。此外，該技術(shù)還被證明能夠在 7nm 節(jié)點(diǎn)裝置上實(shí)現(xiàn)無空隙填充，以改善良率及效能?？傊鼘K端影響很小，且均勻性優(yōu)異。Alchimer 高度可擴(kuò)展的濕沉積技術(shù)是滿足先進(jìn)鑲嵌結(jié)構(gòu)市場需求的唯一解決方案，不僅如此，與傳統(tǒng)的干沉積制程相比，該技術(shù)還能降低 25% 至 35% 的持有成本。

　　這是透過盡量減少使用昂貴的 PVD 與 CVD 制程實(shí)現(xiàn)的，因?yàn)樵撝瞥炭梢栽趦H需最少改裝的傳統(tǒng)設(shè)備上實(shí)施。造成較低覆層及穩(wěn)定化學(xué)作用的超保形層可在使用前即期混合。