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基于閃爍存儲器的DSP并行引導裝載方法

作者: 時間:2010-11-05 來源:網(wǎng)絡 收藏

  2 硬件電路組成

   存儲區(qū)硬件接口電路如圖1所示。主要由5部分組成:處理器-TMS320VC5409、系統(tǒng)邏輯控制電路(采用CPLD-EPM7128實現(xiàn))、閃存FLASH-Am29LV400B(256K字的FLASH用來存儲應用程序和初始化數(shù)據(jù))、程序SRAM1-IDT71V416S12PH(容量為256K字)、數(shù)據(jù)SRAM2-IDT71V016S12PH(容量為64K字)。邏輯控制電路主要由3個模塊組成:FLASH頁選控制模塊、讀/寫控制模塊、程序空間/數(shù)據(jù)空間/FLASH切換控制模塊。圖中,CPLD的輸出FMSEL為FLASH的片選腳;PMSEL為程序空間的片選腳; DMSEL為數(shù)據(jù)空間的片選腳。

  FLASH分為8頁,每頁32K,通過CPLD中的FLASH頁選控制模塊(Page0~Paeg2)實現(xiàn)FLASH翻頁功能。為實現(xiàn)FLASH,F(xiàn)LASH物理空間的前32K映射到TMS320VC5409的數(shù)據(jù)空間0x8000h~0xFFFFh上,即TMS320VC5409的數(shù)據(jù)空間 0x8000h~0xFFFFh為FLASH的前32K空間。為了重點說明FLASH的過程,本文只談及片內程序存儲空間以及FLASH前 32K字的使用情況。

  3 TMS320VC5409 DSP的方式

  TMS320VC5409芯片具有兩種引導方式:片內引導方式和片外執(zhí)行方式。片內引導方式就是利用片內ROM中的引導程序將程序從外部加載到程序中運行。由于FLASH的速度較低,難以與DSP相匹配,因此,本文采用片內引導方式。

  TMS320VC5409 片內掩模ROM中固化的引導裝載(Bootloader)程序用于在上電復位時把用戶程序從外部引導到高速RAM中,以保證其全速運行。 TMS320VC4509提供的片內引導有:有機口HPI、8位或16位EPROM、8位或16位I/O方法和8位或16位串行口方法等。TMS320VC5409片內引導裝載源程序可以在TI網(wǎng)絡下載得到,讀者可以自行分析。下面通過圖2所示的引導過程框圖,闡述一下本文選用的引導方式過程。



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