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集中火力攻FinFET 聯(lián)電確定不玩20納米

作者: 時(shí)間:2013-07-31 來源:新電子 收藏

  將跳過(nm)制程節(jié)點(diǎn),全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于研發(fā)所費(fèi)不貲,加上市場(chǎng)需求仍不明朗,因此已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后,直接跨過節(jié)點(diǎn),加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代,以與臺(tái)積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/153155.htm

  市場(chǎng)行銷處處長(zhǎng)黃克勤表示,20納米制程帶來的效益將不如從40納米演進(jìn)至28納米的水準(zhǔn),且須導(dǎo)入雙重曝光(Double Patterning)方案,勢(shì)將增加一筆可觀花費(fèi),已使處理器業(yè)者的導(dǎo)入意愿開始動(dòng)搖;再加上主要晶圓代工業(yè)者皆規(guī)畫在2015年推出16或14納米FinFET制程,在多方權(quán)衡之下,聯(lián)電遂決定放緩20納米投資,專心克服14納米FinFET牽涉的材料摻雜、測(cè)試驗(yàn)證和晶圓前后段混搭制程等技術(shù)挑戰(zhàn),以因應(yīng)即將到來的FinFET市場(chǎng)卡位戰(zhàn)。

  據(jù)悉,28納米高介電系數(shù)金屬閘極(HKMG)系一具主導(dǎo)性、生命周期較長(zhǎng)的制程方案;相形之下,20納米可能成為非主流制程(Weak Node),因晶片效能提升與投資成本效益不一定勝過直接導(dǎo)入14納米FinFET,僅有一線處理器大廠為維持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)才會(huì)計(jì)劃采用。

  事實(shí)上,聯(lián)電在今年首季即公布其未來的制程演進(jìn)藍(lán)圖與主力推動(dòng)技術(shù),其中獨(dú)漏20納米規(guī)畫已現(xiàn)端倪。黃克勤指出,目前聯(lián)電已將火力對(duì)準(zhǔn)中國(guó)大陸應(yīng)用處理器開發(fā)商,以及智慧電視(Smart TV)和機(jī)上盒(STB)晶片商導(dǎo)入28納米制程的龐大需求商機(jī),積極拉攏新客戶,以刺激旗下28納米制程營(yíng)收成長(zhǎng)。

  至于下一階段的發(fā)展策略,聯(lián)電亦已押寶14納米FinFET制程,將于2015年上市,與臺(tái)積電、格羅方德和三星等大廠展開廝殺。

  黃克勤強(qiáng)調(diào),英特爾(Intel)率先投入FinFET制程量產(chǎn),大幅提高處理器效能并降低功耗,近來在行動(dòng)裝置品牌市場(chǎng)已有不錯(cuò)成績(jī);一旦其市占持續(xù)攀升,勢(shì)將影響高通(Qualcomm)與相關(guān)晶圓代工供應(yīng)鏈的投資計(jì)劃,并加速制程研發(fā)步調(diào),以免技術(shù)差距持續(xù)被拉大。因應(yīng)此一趨勢(shì),聯(lián)電遂傾向?qū)①Y源集中在FinFET技術(shù)上,并跳過20納米制程發(fā)展以免節(jié)外生枝。



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