D類MOSFT在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用
2.1 全橋組態(tài)工作原理
圖4所示為射頻放大器的全橋組態(tài),即四對(duì)MOS管用作開(kāi)關(guān)。射頻激勵(lì)信號(hào)的相位情況是當(dāng)射頻功放模塊接通時(shí),這些開(kāi)關(guān)中只有兩個(gè)可以組合起來(lái)。并且,在激勵(lì)信號(hào)的正半周,標(biāo)示為0°的MOS管處于正半周,標(biāo)示為180°的MOS管處于負(fù)半周。本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/157734.htm
在射頻周期的負(fù)半周,Ql/Q3和Q6/Q8處于截止?fàn)顟B(tài),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi);Q2/Q4和QS/Q7則是飽和導(dǎo)通的,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)接通。Q2/Q4和QS/Q7串聯(lián)導(dǎo)通電源電壓為+V,若忽略MOS管的飽和壓降,+V將全部降落在合成變壓器上。在射頻周期的正半周,Q1/Q3和Q6/Q8處于導(dǎo)通狀態(tài),Q2/Q4和QS/Q7為截止?fàn)顟B(tài)。Ql/Q3和Q6/Q8串聯(lián)導(dǎo)通電源電壓+V,+V全部降落在合成變壓器上。由圖4可見(jiàn),合成變壓器初級(jí)電壓方波輸出相差180°,說(shuō)明輸出電壓的峰峰值為+2V。MOS開(kāi)關(guān)的作用就是有效地將整個(gè)電源電壓跨接在合成變壓器的初級(jí)繞組上,在射頻激勵(lì)信號(hào)的每半個(gè)周期是反相的。作為全橋組態(tài),輸出就是兩倍電源電壓的射頻輸出。為了防止直流電壓通過(guò)變壓器的繞組通地,應(yīng)在每部分的射頻輸出都串聯(lián)有隔直電容C。
2.2 半橋組態(tài)工作原理
以Q1/Q3和QS/Q7的工作情況為例,其工作原理如圖5所示。
評(píng)論