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東芝推出650V系統(tǒng)超結(jié)MOSFET “DTMOS Ⅳ”系列

作者: 時(shí)間:2013-08-22 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  實(shí)現(xiàn)頂級(jí)[1]低導(dǎo)通電阻性能

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/159224.htm

  東京—公司(TOKYO:6502)日前宣布推出第四代超級(jí)結(jié)MOSFET “ IV”系列650V器件。作為該系列的首款產(chǎn)品,“TK14A65W”已經(jīng)推出,并計(jì)劃于2013年8月全面投入量產(chǎn)。

  該系列采用最新的單外延工藝打造,其每單位面積導(dǎo)通電阻(Ron•A)較現(xiàn)有的650V “ II”系列產(chǎn)品約降低了50%[2],這就使之能夠采用緊湊封裝,有助于提高功效,縮小產(chǎn)品的集成尺寸。

  主要規(guī)格

產(chǎn)品型號(hào) 封裝 絕對(duì)最大額定值 RDS(ON)
最大值(Ω)
Qg
標(biāo)準(zhǔn)值
(nC)
Ciss
標(biāo)準(zhǔn)值
(pF)
VDSS(V) ID(A) VGS=10V
TK14A65W TO-220SIS 650 13.7 0.25 35 1300

  注:

  [1] 截至2013年7月。公司的研究。
  [2] 與“TK17A65U”對(duì)比。



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