東芝推出高壓MOSFET “πMOS VIII”系列
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可將導(dǎo)通電阻降低約24%
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/159263.htm
東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了該系列的首款產(chǎn)品“TK9J90E”，并計劃于2013年8月投入量產(chǎn)。
通過優(yōu)化芯片設(shè)計，可將其單位面積導(dǎo)通電阻(Ron•A)較同類產(chǎn)品[1]降低約24%;而門極電荷(Qg)性能降低約24%，則可將關(guān)斷時間(toff)改善約28%。
主要規(guī)格
| 產(chǎn)品型號 | 封裝 | 絕對最大額定值 | RDS（ON）最大值（Ω） | Qg標(biāo)準(zhǔn)值 （nC） |
Ciss標(biāo)準(zhǔn)值 （pF） |
|
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS（V） | ID（A） | VGS=10V | ||||
| TK9J90E | TO-3P（N） | 900 | 9 | 1.3 | 46 | 2000 |
[1] 與“2SK3878”對比。
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