MEMS和信號調(diào)理實(shí)現(xiàn)擴(kuò)散硅壓力傳感器
文中介紹通過采用MEMS(micro electro mechanical systems)技術(shù)制造的硅壓阻力敏元件結(jié)合智能集成化信號調(diào)理技術(shù)設(shè)計(jì)了適合批量制造的小型化堅(jiān)固封裝的通用汽車壓力傳感器。通過智能調(diào)理技術(shù)將傳感器的零位和滿度進(jìn)行溫度校準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)了寬溫度工作范圍內(nèi)的高精度測量,并且適合于批量制造。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/161497.htm引言
美國汽車傳感器權(quán)威弗萊明在2000年的汽車電子技術(shù)綜述就指出了MEMS技術(shù)在汽車傳感器領(lǐng)域的美好前景。設(shè)計(jì)了基于MEMS技術(shù)和智能化信號調(diào)理的擴(kuò)散硅壓力傳感器應(yīng)對汽車壓力系統(tǒng)的壓力檢測。
1 傳感器原理及封裝設(shè)計(jì)
為了將壓力信號轉(zhuǎn)化為電信號采用了應(yīng)變原理,將惠斯頓檢測電橋通過MEMS技術(shù)制作在單晶硅片上。使得單晶硅片成為一個(gè)集應(yīng)力敏感與力電轉(zhuǎn)換為一體的敏感元件。如圖1所示。
圖1敏感元件
當(dāng)硅芯片受到外界的應(yīng)力作用時(shí),硅應(yīng)變電橋的橋臂電阻將產(chǎn)生變化,一般都為惠斯頓電橋檢測模式。如圖2所示。
圖2惠斯頓電橋
其輸出電壓表示為vo=KAR/R(Rl=如=R3=R4,△R1=△R3=△R2=△R4)。
因?yàn)殡娮璧淖兓苯优c應(yīng)力P有關(guān),則:
式中:Vo為輸出電壓,mV;S為靈敏度,mV/V/Pa;P為外力或應(yīng)力,Pa;VB為橋壓,VOS為零位輸出,mV.
單一的硅片芯片只能作為一個(gè)檢測單元的一部分無法獨(dú)立完成信號的轉(zhuǎn)換,所以必須有特定的封裝使其具備壓力檢測的能力。將圖2中的硅片芯片與PYREX玻璃環(huán)靜電封接在一起。
PYREX玻璃環(huán)作為硅芯片的力學(xué)固定支撐彈性敏感元件并且使硅芯片與封裝絕緣,而PYREX玻璃環(huán)的孔恰好成為了傳感器的參考壓力腔體和電極引線腔體。其結(jié)構(gòu)如圖3所示。
圖3敏感元件封裝
如圖3的敏感芯體封接在金屬螺紋底座上形成進(jìn)壓的腔道后成為一個(gè)可安裝的壓力測量前端,見圖4。
圖4可安裝的壓力測量前端
此封裝技術(shù)可以承載至少15 MPa的壓力,若經(jīng)特殊處理可承載100 MPa的壓力。
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