IR推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出25V FastIRFET創(chuàng)新功率MOSFET系列，適用于先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等DC-DC同步降壓應(yīng)用。

　　全新FastIRFET系列配備IR新一代硅技術(shù)，采用符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的PQFN封裝，為分立式DC-DC轉(zhuǎn)換器提供基準(zhǔn)功率密度。該系列包括能夠提供低至0.7 mΩ導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH4201，以及旨在降低鳴震和進(jìn)一步提升系統(tǒng)效率的IRFH4210D和IRFH4213D單片式FETKY組件。

　　IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這款先進(jìn)的25V FastIRFET MOSFET為高性能分立式DC-DC開關(guān)應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度。這些器件與IR旗下的集成式SupIRbuck、PowIRstage和電源模塊平臺(tái)相輔相成，為設(shè)計(jì)人員提供一系列高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器。”

　　IR FastIRFET器件為5V柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用作出優(yōu)化，可與各種控制器或驅(qū)動(dòng)器共同操作，從而使設(shè)計(jì)更靈活，并且以小占位面積實(shí)現(xiàn)高電流、效率和頻率。新器件采用符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的5x6mm和3.3x3.3mm PQFN封裝，環(huán)保物料清單不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。

　　規(guī)格