可調(diào)滯后的微處理器復位芯片
摘要:簡單的電路可調(diào)整,否則固定滯后(上升和下降之間的閾值電壓VCC上的差異)是管理著一個3針微處理器復位IC的工作。
基于微處理器的系統(tǒng)往往包括許多可用的3針微處理器復位芯片之一。這些設(shè)備監(jiān)控單電源軌,并提供了響應(yīng)系統(tǒng)復位信號,欠壓條件。通常表現(xiàn)出這種芯片的固定滯后(上升和下降之間的閾值電壓VCC上的差異),但一個簡單的電路(圖1)可讓您調(diào)整的電壓差。
圖1。在這個電路中,相對濕度和RP值讓你決定調(diào)整滯后復位時序。
如上所述1.0V的VIN的上升,低電平有效復位輸出低電平表明,輸入電壓低于閾值的監(jiān)測。電流從VIN通過反相內(nèi)部MOSFET驅(qū)動器,并通過RH至地面,制定一項全面濕度偏移電壓。由于內(nèi)部參考電壓是指接地,偏移電壓VCC的上升增加了門檻。在新崛起的閾值可以計算如下
當VIN上升越過這個門檻,仍然是它上面的復位超時,低有效復位去斷言和電流通過相對濕度下降,使VCC的門檻,轉(zhuǎn)回到正常水平。
考慮與3.08V閾值和10kΩ的上拉電阻器(RP)的一個微處理器復位IC(MAX6383XR31D1)。如果你想上升閾值的3.18V(100mV的滯后),解決對RH(忽略電源電流和有限上MOSFET的輸出驅(qū)動電阻),并獲得324.68Ω上述方程。在標準的1%的電阻值是324Ω最接近。
示波器照片(圖2)顯示電路的操作。測量的閾值3.1984V上升和下降的門檻是3.0891V,生產(chǎn)滯后109.3mV。該9.3mV差異(相對于在100mV的計算值)主要是由于MOSFET的導通電阻,電源進入設(shè)備電流,電阻公差。
圖2。從圖1電路顯示100mV的滯后,這些波形。也就是說,在這VCC的電壓之差(CH1)的相交的低電平復位(CH2)的上升沿和下降沿是100mV的。
請注意,相對濕度增加了有源低有效復位輸出音量(邏輯,低輸出電壓)的滯后電壓。在這種情況下,第一個措施的127mV最大。因此,你應(yīng)該檢查,以確保連接到低電平復位可以容忍較高的音量的電路。
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