通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程

作者：時間：2004-12-06 來源：網(wǎng)絡(luò)

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摘要：采用一種簡單可行的方法，在TI公司TMS320C6X DSP集成開發(fā)環(huán)境CCS2.0下，通過 JTAG口實現(xiàn)對DSP外部 Flash可擦寫存儲器的在線編程；將用戶數(shù)據(jù)文件燒寫到DSP的外部 Flash中，并在TMS320C6711 DSP板上多次測試通過。

關(guān)鍵詞：嵌入式系統(tǒng) DSP Flash JTAG 在線編程 CCS2.0

引言

在采用TI數(shù)字信號處理器（DSP）的嵌放式硬件系統(tǒng)開發(fā)完成，軟件也有CCS2.0集成開發(fā)環(huán)境下仿真測試通過后，怎樣將編譯、鏈接后生成的可執(zhí)行文件（.Out），經(jīng)過轉(zhuǎn)換后的十六進制文件（.Hex）寫入硬件系統(tǒng)的Flash存儲器中，讓系統(tǒng)脫機運行，這是許多DSP開發(fā)人員及初學(xué)者遇到并需要解決的問題。

從JTAG接口對DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150 DSK板為例，介紹“在線仿真狀態(tài)下”對Flash的編程。

1 Flash存儲器的擦除

Flash編程之前，應(yīng)對Flash進行擦除，使其每個數(shù)據(jù)位都恢復(fù)為1狀態(tài)，即全FF狀態(tài)。對Flash的擦除操作需要6個總線周期，總線時序如圖1。

從圖1可知，各總線周期的操作為：

第一總線周期――向2AAAH地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)55H；

第二總線周期――向2AAAH地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)55H；

第三總線周期――向5555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)80H；

第四總線周期――向5555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)AAH；

第五總線周期――向2AAAH地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)55H；

第六總線周期――向5555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)10H。

完成上述操作后，F(xiàn)lash存儲器被完全擦除，內(nèi)部數(shù)據(jù)恢復(fù)為初始狀態(tài)，全為FFH。

在TMS320C6711中，用C語言完成上述操作為：

void erase_flash()

{

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055；

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010；

}

在TMS320C6711系統(tǒng)中，F(xiàn)lash所在地址段為CE1空間，其開始地址為0x90000000。這樣，其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為：

#define FLASH_ADR1 0x90005555

#define FLASH_ADR2 0x90002AAA

需要說明的是，在對Flash進行擦除時，應(yīng)對DSP及EMIF外存儲器接口進行初始化，CE1空間定義為8位讀寫模式。

初始化函數(shù)如下：

void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/

CSR=0x100; /*禁止所有中斷*/

IER=1； /*禁止除NMI外的所有中斷*/

ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中斷*/

*（unsigned volatile int *）EMIF_GCR=0x3300;

*(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;

*(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;

}

2 Flash存儲器的編程

對Flash存儲器進行字節(jié)編程之前，需要對它進行3個周期的編程指令操作，總線時序如圖2。

從圖2可知，各總線周期的操作如下：

第一總線周期――向5555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)AAH；

第二總線周期――向2AAAH地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)55H；

第三總線周期――向5555H地址的存儲單元寫入數(shù)據(jù)A0H；

第四總線周期――向地址的存儲單元寫入編程數(shù)據(jù)；

……

在TMS320C6711中，用C語言完成上述操作為：

/*---------------------------------------------------------------------*/

/*入口參數(shù)：pattern[]：數(shù)組，用于存儲編程數(shù)據(jù)*/

*/ start_address:所要編程的起始地址指針*/

/* page_size：所要編程的Flash的頁面尺寸*/

/*出口參數(shù)：無*/

/*---------------------------------------------------------------------*/

void flash_page_prog(unsigned char pattern[],unsigned volatile char *start_address,int page_size){

volatile int i;

unsigned volatile char *flash_ptr=start_address;

*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;

*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;

*(unsigned volatile char *)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;

for(i=0;ipage_size;i++)

*flash_ptr++=pattern[i];

}

其中，F(xiàn)LASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定義如下：

#define FLASH_KEY1 0xAA

#define FLASH_KEY2 0x55

#define FLASH_KEY3 0xA0

3 校驗和的計算與編程原理

（1）校驗和的計算

在程序中，應(yīng)對Flash編程的正確性進行自動檢查，把編程前數(shù)據(jù)的校驗和編程后Flash中讀出數(shù)據(jù)的校驗和進行比較：如果相同，則編程成功；如果不相同，則編程失敗。需要注意的是，在對Flash進行編程的過程中，不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的編程數(shù)據(jù)，這樣會導(dǎo)致一會地址編程的失敗。

其C語言程序如下：

/*----------------------------------------------------------------------*/

/*入口參數(shù)：start_address:所要校驗的起始地址*/

/* size_in_byte:所要校驗的Flash數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)*/

/*出口參數(shù)：lchecksum:校驗和 */

/*----------------------------------------------------------------------*/

int flash_checksum(int start_address,int size_in_byte){

int i;

int lchecksum;

unsigned volatile char*flash_ptr=(unsigned volatile char*)

start_address;

int temp;

i=0;

lchecksum=0;

while(isize_in_byte-4){

temp=*flash_ptr++;

temp=0xff;

lchecksum=lchecksum+temp;

i++;

}

return lchecksum;

}

(2)編程原理

基本原理是：在仿真狀態(tài)下，在PC機上運行DSP編程軟件，由運行的DSP通過JTAG口從PC機上讀入待編程的十六進制數(shù)據(jù)文件，由DSP將其寫入到其外部Flash中，即完成用戶數(shù)據(jù)文件的燒寫工作。

4 編程數(shù)據(jù)的讀入及編程

編程時，由DSP程序從終端仿真計算機上打開要編程的十六進制文件，從十六進制文件中依次讀入編程數(shù)據(jù)，并由DSP將其寫入到其外部Flash中，程序段如下：

while(data_flag=0){

display_count++;

if(display_count==DISPLAY_SIZE){

display_count=0;

/*printf(".");*/

}

for(i=0;iFLASH_WRITE_SIZE;i++){

j=fscanf(hex_fp,“%x”,data);/*從文件中讀入編程數(shù)據(jù)，每次取一個字節(jié)*/

if(j==EOF||j==0){

data_flag=1;

break;

}

host_buffer[i]=data;

checksum+=data;

flash_addr+=1;

if(falsh_addr>0x90020001){

printf("ERROR:beyond valid flash address!");

}

//寫入Flash

ptr=(unsigned volatile char *)(flash_addr-0x80);

if(data_flasg==0){

length=FLASH_WRITE_SIXZE;

flash_page_prog(host_buffer,ptr,length);

printf("Programming address:%x"，flash_addr-0x80);

}

注意：所采用的十六進制文件應(yīng)使用“Hex6x.exe”命令，并在hex.cmd命令文件中使用“-a”參數(shù)生成的文件；指定的存儲器長度必須能被128整數(shù)（len參數(shù)能被128整除）。因為AT29LV010A以扇區(qū)為操作單位，每個扇區(qū)為128字節(jié)，共1024個扇區(qū)，其格式如下：

…

-map hex.map

-a

-image

-zero

-memwidth 8

ROMS

{

FLASH:org=0x90000000,len=0x20000,romwidth=8,files={test.hex}

}

…

5 仿真運行